近日，國外科學家們在通(tong)電納米(mi)碳管內放置一小塊金剛石(shi)(shi)，研(yan)制(zhi)出了量子信息處理系統(tong)的基(ji)礎元件。研(yan)究者將通(tong)電納米(mi)碳管的機械振動和金剛石(shi)(shi)缺陷的磁特性相(xiang)結(jie)合；這種(zhong)結(jie)合可(ke)以實現納米(mi)碳管和金剛石(shi)(shi)的量子態的
盡管(guan)納米(mi)(mi)(mi)碳(tan)管(guan)的(de)(de)(de)研究(jiu)在制備(bei)技術上已(yi)經取得了令人矚目(mu)的(de)(de)(de)進展，但是在理(li)(li)論上對(dui)單(dan)壁和(he)(he)多壁納米(mi)(mi)(mi)碳(tan)管(guan)的(de)(de)(de)生長機理(li)(li)的(de)(de)(de)理(li)(li)解還相對(dui)滯(zhi)后。要(yao)(yao)制備(bei)單(dan)壁納米(mi)(mi)(mi)碳(tan)管(guan)必須使用(yong)過渡族金屬催化劑，而制備(bei)多壁納米(mi)(mi)(mi)碳(tan)管(guan)時(shi)并不(bu)需要(yao)(yao)，這說明單(dan)壁納米(mi)(mi)(mi)碳(tan)管(guan)和(he)(he)多壁納...
假設碳(tan)(tan)管(guan)生長過程中始終保持(chi)閉(bi)口(kou)，那(nei)么通(tong)過碳(tan)(tan)原子簇C2的(de)(de)連續吸(xi)附(fu)實現了碳(tan)(tan)管(guan)的(de)(de)軸向生長。碳(tan)(tan)管(guan)的(de)(de)閉(bi)口(kou)是由端部(bu)形(xing)成五(wu)邊形(xing)環造(zao)成的(de)(de)。在碳(tan)(tan)管(guan)端部(bu)的(de)(de)五(wu)邊形(xing)缺陷有助(zhu)于這些碳(tan)(tan)原子簇的(de)(de)吸(xi)附(fu)，為了重(zhong)構頭部(bu)的(de)(de)帽形(xing)拓撲結構，構成五(wu)邊形(xing)的(de)(de)鍵(jian)必須...
實驗(yan)表明單(dan)壁納米碳(tan)(tan)(tan)管(guan)與(yu)多壁納米碳(tan)(tan)(tan)管(guan)生(sheng)長(chang)的(de)(de)主要區(qu)別在于(yu)其(qi)生(sheng)長(chang)必須有催(cui)化劑(ji)存(cun)在。但(dan)單(dan)壁納米碳(tan)(tan)(tan)管(guan)的(de)(de)生(sheng)長(chang)過(guo)(guo)程不同(tong)于(yu)催(cui)化劑(ji)法生(sheng)長(chang)碳(tan)(tan)(tan)纖維的(de)(de)過(guo)(guo)程，這是因為(wei)在單(dan)壁納米碳(tan)(tan)(tan)管(guan)的(de)(de)頂端并(bing)未觀察到催(cui)化劑(ji)粒(li)子的(de)(de)存(cun)在，通常其(qi)頂端被(bei)半個富勒稀球封閉...
納(na)米(mi)碳(tan)管(guan)的電學性(xing)能(neng)包括導(dao)(dao)電性(xing)能(neng)和超導(dao)(dao)特性(xing)兩個部分(fen)，其中前一部分(fen)研究得最多。理論與實驗均(jun)證實納(na)米(mi)碳(tan)管(guan)的導(dao)(dao)電性(xing)質與其微結構有(you)著密切的關系。早(zao)期的實驗發現(xian)，一些納(na)米(mi)碳(tan)管(guan)應是金屬或窄能(neng)隙的半(ban)導(dao)(dao)體。1996年，Langer等(deng)人...
將CVD方法制成的(de)(de)納(na)米(mi)碳管沉積在鉬(mu)針尖上，測試了這(zhe)種(zhong)材料的(de)(de)場發(fa)射特(te)性，結(jie)果(guo)表明，這(zhe)種(zhong)材料可作(zuo)為一(yi)種(zhong)新型(xing)高效(xiao)的(de)(de)場發(fa)射體。將納(na)米(mi)碳管與純鉬(mu)針的(de)(de)場發(fa)射特(te)性進行比(bi)較(jiao)，證實了該項實驗具有很好的(de)(de)應用前景(jing)。同(tong)類研究結(jie)果(guo)還表明，通過...
納(na)米(mi)碳管(guan)最令人矚(zhu)目的(de)(de)(de)(de)熱學性能是(shi)導熱系(xi)數。理(li)論預測(ce)納(na)米(mi)碳管(guan)的(de)(de)(de)(de)導熱系(xi)數很(hen)可能大(da)于(yu)金剛石(shi)而成為世界上導熱率高(gao)的(de)(de)(de)(de)材(cai)料。不(bu)過，測(ce)量單根納(na)米(mi)碳管(guan)的(de)(de)(de)(de)導熱系(xi)數是(shi)一(yi)件很(hen)困(kun)難(nan)的(de)(de)(de)(de)事情，目前還(huan)沒有獲得突破。將電弧法制備的(de)(de)(de)(de)單壁納(na)米(mi)碳管(guan)軋成相對...
由(you)于具有(you)獨特(te)的(de)(de)結構和(he)優異的(de)(de)性能(neng)，因此，納(na)米(mi)碳(tan)管及其應(ying)用的(de)(de)研究正在世界范圍內(nei)掀起一股(gu)熱潮(chao)，并(bing)在電(dian)學領域取得了很大進展，被(bei)譽為“新(xin)世紀科技革命的(de)(de)轉(zhuan)折點”。目前研究的(de)(de)主要(yao)方向是納(na)米(mi)碳(tan)管的(de)(de)批量生產(chan)和(he)納(na)米(mi)碳(tan)管基(ji)電(dian)子器件的(de)(de)研制(zhi)，...
具有(you)良(liang)好晶界的(de)(de)異質結構(gou)(gou)對于(yu)電子(zi)器件來說(shuo)十分重(zhong)要(yao)(yao)。由于(yu)單壁納米碳(tan)管(guan)尺寸(cun)小(xiao)，具有(you)獨特的(de)(de)電子(zi)性質，因此其制造的(de)(de)異質結構(gou)(gou)引(yin)起了特別(bie)的(de)(de)興(xing)趣。碳(tan)化物(wu)在電子(zi)工業中(zhong)扮演著重(zhong)要(yao)(yao)的(de)(de)角(jiao)色。例如(ru)，SiC是一(yi)種有(you)用的(de)(de)寬帶隙的(de)(de)半導體材料。在高溫(wen)...
3月28日(ri)，中國超硬材(cai)料(liao)網市(shi)(shi)場總監劉小雨(yu)、市(shi)(shi)場經理高(gao)峰一行走(zou)...
公元(yuan)1278年(nian)，此時的(de)(de)(de)南宋就如(ru)零丁洋里(li)的(de)(de)(de)一片到(dao)處(chu)漏(lou)水的(de)(de)(de)孤(gu)舟，...
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