具有良好晶界的異質結構對于電子器件來說十分重要。由于單壁納米碳管尺寸小，具有獨特的電子性質，因此其制造的異質結構引起了特別的興趣。碳化物在電子工業中扮演著重要的角色。例如，SiC是一種有用的寬帶隙的半導體材料。在高溫，高頻，高功率場合得到了廣泛應用。過渡族金屬碳化物，如NbC是很好的高熔點，低擴散系數的金屬導體，非常適合在超大規模的集成電路中應用。將這些材料與單壁納米碳管結合在一起將會產生新的器件，如單電子管，場效應管。研究者已經利用基于納米棒和SiC過渡族金屬碳化物之間的異質結構。通過高分辨透射電子顯微鏡和電子衍射觀察表明，該民質結構的晶界良好。單壁納米碳管和碳化物之是的界面尺寸處在納米量級，基本由納米碳管的截面積決定，納米碳管可以得到最小的異質結，在未來的混合納米器件中將扮演重要的角色。