近日，國外科學(xue)家們(men)在(zai)通(tong)電納(na)(na)米碳(tan)管內放置一(yi)小塊金(jin)剛(gang)(gang)(gang)石(shi)，研(yan)制出了量子信(xin)息處理系統的基礎(chu)元(yuan)件(jian)。研(yan)究者將通(tong)電納(na)(na)米碳(tan)管的機械振動和金(jin)剛(gang)(gang)(gang)石(shi)缺陷的磁特性相結(jie)合；這種結(jie)合可以(yi)實現納(na)(na)米碳(tan)管和金(jin)剛(gang)(gang)(gang)石(shi)的量子態的
納(na)米(mi)管或(huo)納(na)米(mi)線的(de)(de)成(cheng)核階段大(da)部分符合(he)氣(qi)-液-固（簡(jian)(jian)稱(cheng)VLS）生長(chang)機制(zhi)，有些符合(he)氣(qi)-固（簡(jian)(jian)稱(cheng)VS）生長(chang)機制(zhi)，其中最重要的(de)(de)是VLS機制(zhi)。VLS機制(zhi)是由Wagner和(he)Ellis于1964年為了(le)解釋包含雜質的(de)(de)晶須定向(xiang)生長(chang)而提(ti)出...
盡管納(na)米(mi)碳管的(de)(de)研究在制(zhi)備技術(shu)上已經取(qu)得了令人矚目的(de)(de)進展，但是在理論上對(dui)單壁(bi)(bi)和多壁(bi)(bi)納(na)米(mi)碳管的(de)(de)生長(chang)機理的(de)(de)理解還相對(dui)滯后。要制(zhi)備單壁(bi)(bi)納(na)米(mi)碳管必須(xu)使用(yong)過渡族金屬催化劑，而制(zhi)備多壁(bi)(bi)納(na)米(mi)碳管時并不需要，這說(shuo)明單壁(bi)(bi)納(na)米(mi)碳管和多壁(bi)(bi)納(na)...
假設碳(tan)(tan)管(guan)(guan)(guan)生長過程中始終保持(chi)閉口(kou)，那么通過碳(tan)(tan)原(yuan)子簇(cu)C2的(de)連續吸附實現了碳(tan)(tan)管(guan)(guan)(guan)的(de)軸向生長。碳(tan)(tan)管(guan)(guan)(guan)的(de)閉口(kou)是由端部(bu)形成五邊(bian)(bian)形環造成的(de)。在碳(tan)(tan)管(guan)(guan)(guan)端部(bu)的(de)五邊(bian)(bian)形缺陷有(you)助于這些碳(tan)(tan)原(yuan)子簇(cu)的(de)吸附，為了重構(gou)頭(tou)部(bu)的(de)帽形拓撲結構(gou)，構(gou)成五邊(bian)(bian)形的(de)鍵必須...
實驗(yan)表明單壁納米(mi)(mi)碳(tan)管(guan)與多(duo)壁納米(mi)(mi)碳(tan)管(guan)生長(chang)的主要(yao)區別在(zai)于其(qi)生長(chang)必須有催化劑(ji)存在(zai)。但單壁納米(mi)(mi)碳(tan)管(guan)的生長(chang)過程不同于催化劑(ji)法生長(chang)碳(tan)纖維(wei)的過程，這是因為在(zai)單壁納米(mi)(mi)碳(tan)管(guan)的頂端并未觀(guan)察到催化劑(ji)粒(li)子的存在(zai)，通(tong)常(chang)其(qi)頂端被半個富勒稀球(qiu)封(feng)閉...
至(zhi)今為止，已有(you)(you)不少有(you)(you)關納米碳(tan)(tan)管結(jie)構模(mo)型(xing)的(de)報道。其中(zhong)以(yi)Iijima給出的(de)模(mo)型(xing)最(zui)具有(you)(you)代表性，即認(ren)為納米碳(tan)(tan)管是由碳(tan)(tan)原(yuan)子組成(cheng)的(de)層(ceng)面卷(juan)成(cheng)筒(tong)狀形成(cheng)的(de)管狀纖維。層(ceng)面內的(de)碳(tan)(tan)原(yuan)子之間以(yi)SP2鍵結(jie)合(he)，每個(ge)碳(tan)(tan)原(yuan)子連接三(san)個(ge)碳(tan)(tan)原(yuan)子形成(cheng)一系列連...
納(na)米(mi)碳管的(de)(de)電學性(xing)能包括導電性(xing)能和超導特性(xing)兩個部分(fen)，其中前一部分(fen)研究得最多。理論與(yu)實驗(yan)均證實納(na)米(mi)碳管的(de)(de)導電性(xing)質與(yu)其微結構(gou)有(you)著(zhu)密(mi)切(qie)的(de)(de)關系。早(zao)期的(de)(de)實驗(yan)發現(xian)，一些納(na)米(mi)碳管應是金屬或(huo)窄能隙的(de)(de)半導體。1996年，Langer等人...
將(jiang)(jiang)CVD方法制成的納米碳管(guan)(guan)沉積在(zai)鉬針(zhen)尖上，測試了(le)這種(zhong)材(cai)料的場發射(she)特(te)(te)性(xing)，結果表明，這種(zhong)材(cai)料可作為一種(zhong)新型高效的場發射(she)體。將(jiang)(jiang)納米碳管(guan)(guan)與純鉬針(zhen)的場發射(she)特(te)(te)性(xing)進行(xing)比較，證實了(le)該項實驗具有很好的應用前景。同(tong)類研(yan)究結果還表明，通過...
納(na)(na)米(mi)(mi)(mi)碳(tan)管(guan)最令人矚目的熱(re)學(xue)性(xing)能(neng)是(shi)導熱(re)系(xi)數。理論預測納(na)(na)米(mi)(mi)(mi)碳(tan)管(guan)的導熱(re)系(xi)數很可能(neng)大于(yu)金剛(gang)石而成(cheng)為世界上(shang)導熱(re)率高的材料。不(bu)過，測量單(dan)根納(na)(na)米(mi)(mi)(mi)碳(tan)管(guan)的導熱(re)系(xi)數是(shi)一(yi)件很困難的事(shi)情，目前還沒有獲得突破。將電弧法制備的單(dan)壁納(na)(na)米(mi)(mi)(mi)碳(tan)管(guan)軋成(cheng)相(xiang)對...
3月28日，中國超硬(ying)材料網(wang)市(shi)場總監劉小雨、市(shi)場經理高峰一(yi)行走...
公元(yuan)1278年(nian)，此時的南宋就如(ru)零(ling)丁洋(yang)里的一片(pian)到處漏水的孤舟，...
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