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湖南大學團隊:金剛石表面構建SiC層,突破復合材料散熱瓶頸

湖南大學團隊:金剛石表面構建SiC層,突破復合材料散熱瓶頸
湖南大學團隊:金剛石表面構建SiC層,突破復合材料散熱瓶頸
湖南大學團隊:金剛石表面構建SiC層,突破復合材料散熱瓶頸

隨著電子器件不(bu)斷向小(xiao)型化(hua)、高功率方向發展,芯片和功率模塊的散熱問題日益突出(chu)。高導熱封裝材料成為電子產業的關鍵瓶頸之一。在(zai)眾多(duo)候選材料中,金剛石/鋁(diamond/Al...

日期 2025-08-28   

砂輪種類及冷卻方式對SiCf/SiC陶瓷基復合材料磨削質量的影響

砂輪種類及冷卻方式對SiCf/SiC陶瓷基復合材料磨削質量的影響
砂輪種類及冷卻方式對SiCf/SiC陶瓷基復合材料磨削質量的影響
砂輪種類及冷卻方式對SiCf/SiC陶瓷基復合材料磨削質量的影響

引用本文:王奔(ben),唐家杰,楚閎迪(di),張棋.砂輪種類及冷(leng)卻方(fang)式對SiCf/SiC陶瓷基復合材料(liao)磨(mo)(mo)削質量的(de)影響[J].金剛石與磨(mo)(mo)料(liao)磨(mo)(mo)具工程,2025,45(2):163-175...

日期 2025-06-24   

SiC和GaN等半導體襯底的精密研磨拋光材料簡要介紹

SiC和GaN等半導體襯底的精密研磨拋光材料簡要介紹
SiC和GaN等半導體襯底的精密研磨拋光材料簡要介紹
SiC和GaN等半導體襯底的精密研磨拋光材料簡要介紹

通(tong)過改進先進半(ban)導(dao)體襯底的研磨拋(pao)光工藝以降低成本3M精密(mi)電子(zi)研磨材料用(yong)于研磨半(ban)導(dao)體、電子(zi)器(qi)件和(he)功率半(ban)導(dao)體的基板,如SiC晶(jing)片(pian)(碳化(hua)硅)、GaN(氮化(hua)鎵(jia))和(he)Ga2O3晶(jing)片(pian)(...

日期 2024-11-22   
投資3.5億美元,泰國將建立首個碳化硅(SiC)晶圓工廠

投資3.5億美元,泰國將建立首個碳化硅(SiC)晶圓工廠

據泰(tai)國媒體近日報道(dao),泰(tai)國計劃建立其首(shou)家碳化硅(SiC)晶圓工廠,預計將在(zai)2027年(nian)正式投入運營,標志(zhi)著(zhu)泰(tai)國在(zai)半導(dao)...

日期 2024-10-29   

碳化硅SiC襯底拋光新方向

碳化硅SiC襯底拋光新方向
碳化硅SiC襯底拋光新方向
碳化硅SiC襯底拋光新方向

碳(tan)化(hua)硅作為一種新興的半導體材料(liao),具有導熱率(lv)高(gao)、寬禁帶、高(gao)擊(ji)穿電(dian)場、高(gao)電(dian)子遷移率(lv)等特(te)性,使得其(qi)成為目前研(yan)發比(bi)較(jiao)集中的半導體材料(liao)之(zhi)一。因為這些性能,碳(tan)化(hua)硅可以廣(guang)泛地應用于襯...

日期 2024-08-05   

納米金剛石拋光液:SiC超精拋光的“白月光”

納米金剛石拋光液:SiC超精拋光的“白月光”
納米金剛石拋光液:SiC超精拋光的“白月光”
納米金剛石拋光液:SiC超精拋光的“白月光”

SiC作為(wei)襯(chen)底材(cai)料(liao),單(dan)晶SiC的(de)(de)表(biao)面(mian)粗糙(cao)度直接影(ying)響其在電子器(qi)元件(jian)中工作的(de)(de)效(xiao)果與性(xing)能。為(wei)確保單(dan)晶SiC在半導(dao)體、襯(chen)底材(cai)料(liao)中的(de)(de)應(ying)用的(de)(de)穩(wen)定性(xing),其表(biao)面(mian)粗糙(cao)度往(wang)往(wang)要(yao)達到納米(mi)級或以...

日期 2024-06-27   

砂輪參數對SiC減薄工藝的影響

0引言(yan)SiC器(qi)件(jian)(jian)正面工(gong)藝完成后,需(xu)要用(yong)到減薄工(gong)藝對襯底進行減薄加(jia)工(gong),降低器(qi)件(jian)(jian)的導(dao)通(tong)電(dian)阻。尤其對于600-1200V的中(zhong)低壓SiC器(qi)件(jian)(jian),襯底電(dian)阻帶來的損耗(hao)影響了SiC器(qi)件(jian)(jian)...

日期 2024-05-30   

SiC研磨行業深度調研

SiC研磨行業深度調研
SiC研磨行業深度調研
SiC研磨行業深度調研

Part01三(san)代(dai)(dai)半(ban)導體市場1.半(ban)導體材(cai)料發展歷程硅(gui)基材(cai)料是目前(qian)電力電子(zi)領(ling)域應用最為廣泛的(de)半(ban)導體材(cai)料,也是目前(qian)主(zhu)流(liu)邏輯(ji)芯片(pian)和功率(lv)器件的(de)基礎。第一代(dai)(dai)元素半(ban)導體,主(zhu)要(yao)包括以硅(gui)...

日期 2024-05-29   
SiC 晶片的切片和表面精加工解決方案

SiC 晶片的切片和表面精加工解決方案

如今,碳化硅(gui)用于要(yao)求苛刻的半導體應用,如火車、渦輪機、電動汽車和智能電網。由于其物理和電氣特(te)性,基于SiC的器件(jian)...

日期 2023-06-16   
DISCO推出新型自動研磨機,可加工8英寸的硅和SiC晶圓

DISCO推出新型自動研磨機,可加工8英寸的硅和SiC晶圓

近日,DISCO公司(si)開發(fa)了(le)DFG8541,這是一款全自動研磨機(ji),可以加工最大尺寸為(wei)8英寸的硅和SiC晶(jing)圓。它(ta)已(yi)在...

日期 2023-01-13   

這項拋光技術獲獎,可用于SiC和GaN

這項拋光技術獲獎,可用于SiC和GaN
這項拋光技術獲獎,可用于SiC和GaN
這項拋光技術獲獎,可用于SiC和GaN

在(zai)“SEMICONJapan2022”(2022年12月14日至16日,東京國際展示場)上,首次舉辦了“學(xue)術獎”,以(yi)表(biao)彰(zhang)有前途的大(da)學(xue)/研(yan)究生院半導體研(yan)究。最(zui)高獎頒(ban)發給大(da)...

日期 2023-01-09   
通化市碳化硅(SiC)超細粉體對外合作項目

通化市碳化硅(SiC)超細粉體對外合作項目

項目簡介1.1項目背景1.1.1產品簡介碳化硅超細粉(fen)體是一種(zhong)平均粒徑小于(yu)1μm(微米(mi)),SiC純(chun)度大于(yu)99%,游...

日期 2020-01-20   
碳化硅(SiC)增利效應拉高 市場競逐日趨白熱化

碳化硅(SiC)增利效應拉高 市場競逐日趨白熱化

多家供應(ying)商正(zheng)在推出下一(yi)波基(ji)于氮化鎵(GaN)和(he)碳化硅(SiC)的(de)功率半導體浪潮,從而為在市場上與傳統的(de)硅基(ji)器件進...

日期 2019-11-08   

SiC功率半導體市場加速攀升 汽車產業成主要推手

根據市(shi)調(diao)機構YoleDeveloppement調(diao)查(cha)指出,全球碳(tan)化硅(gui)(SiC)功率半導體市(shi)場將從2017年的(de)3.02億美(mei)元(yuan),快速成長至2023年的(de)13.99億美(mei)元(yuan),201...

日期 2018-07-13   

我國半導體大直徑SiC單晶粉料和設備生產實現新突破

近日(ri),在中(zhong)國(guo)電(dian)子科技集團(tuan)公(gong)司(si)第二研究(jiu)所(簡稱中(zhong)國(guo)電(dian)科二所)生(sheng)(sheng)產(chan)大樓內,100臺碳化(hua)硅(gui)(SiC)單晶(jing)生(sheng)(sheng)長設備(bei)正在高速(su)運行(xing),SiC單晶(jing)就在這(zhe)100臺設備(bei)里“奮力”生(sheng)(sheng)長。中(zhong)國(guo)...

日期 2018-06-08   

一種通過高速壓制制備高體積分數SiC顆粒增強Al基復合材料的方法

申請(qing)(qing)號(hao):201710899306.9申請(qing)(qing)日(ri):2017.09.28國家/省市:中國安徽(hui)(34)公(gong)開號(hao):107641727A公(gong)開日(ri):2018.01.30主(zhu)分類號(hao):C22C1...

日期 2018-02-06   

一種ZrB2?SiC陶瓷材料注漿成型燒結方法

申請(qing)號:201720079346.4申請(qing)日(ri):2017.01.21國家/省市:中國寧(ning)夏(xia)(64)主分類號:B03C1/02(2006.01)授權公告號:206474279U...

日期 2017-09-18   
一種ZrC陶瓷材料表面ZrB2?SiC復合涂層的制備方法

一種ZrC陶瓷材料表面ZrB2?SiC復合涂層的制備方法

申(shen)請號:201710293168.X申(shen)請日:2017.04.28國(guo)家/省市(shi):中國(guo)哈(ha)爾濱(93)公開號:10705...

日期 2017-08-31   

一種在鋯鋁碳/碳化硅復合材料表面制備ZrB2/SiC涂層的方法

申(shen)請號(hao)(hao)(hao):201710245487.3申(shen)請日:2017.04.14國家/省市:中國河南(nan)(41)公(gong)開號(hao)(hao)(hao):107056303A公(gong)開日:2017.08.18主分(fen)類(lei)號(hao)(hao)(hao):C04B3...

日期 2017-08-28   

鋁基碳化硼復合材料的SiC磨料輔助電化學加工

鋁基碳化硼復合材料的SiC磨料輔助電化學加工
鋁基碳化硼復合材料的SiC磨料輔助電化學加工
鋁基碳化硼復合材料的SiC磨料輔助電化學加工

作者:M.Sankar,M.Sankar,K.Rajkumar,S.Santosh摘要(yao):新型工業產業對輕(qing)量(liang)級(ji)材料(liao)的需(xu)求促使了鋁基復合(he)材料(liao)的研(yan)發和制備(bei)。在諸多AMMCs中...

日期 2017-02-24   
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2023年9月20日(ri),時隔四年,期待已久的第六屆磨(mo)(mo)料(liao)磨(mo)(mo)具(ju)磨(mo)(mo)削展(zhan)覽(lan)會(hui)在(zai)鄭州國(guo)(guo)際會(hui)展(zhan)中(zhong)心(xin)隆重開幕。本(ben)次展(zhan)覽(lan)會(hui)由(you)中(zhong)國(guo)(guo)機械工(gong)業(ye)集團有限(xian)(xian)(xian)公(gong)司(si)、國(guo)(guo)機精工(gong)股份有限(xian)(xian)(xian)公(gong)司(si)、中(zhong)國(guo)(guo)機械國(guo)(guo)際合(he)作股份有限(xian)(xian)(xian)公(gong)司(si)聯合(he)主辦。旨在(zai)推動中(zhong)國(guo)(guo)磨(mo)(mo)料(liao)磨(mo)(mo)具(ju)行業(ye)的快速發展(zhan),加強國(guo)(guo)內外企業(ye)的交流(liu)與合(he)作。

中國人造金剛石誕生60周年

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1963年,我(wo)國(guo)成(cheng)功研制(zhi)出第(di)一顆(ke)人造(zao)金剛石(shi),經(jing)過幾代(dai)人的拼搏奮(fen)斗,實現(xian)了從無(wu)到有(you)、從小(xiao)到大、從弱到強的華麗蝶變。人造(zao)金剛石(shi)及其制(zhi)品在我(wo)國(guo)航空航天、國(guo)防(fang)軍工、機床機械等領域發(fa)揮著愈發(fa)重要的作用。不(bu)僅如(ru)此,隨著金剛石(shi)技術(shu)的選(xuan)代(dai),金剛石(shi)民用領域—培育鉆(zhan)石(shi)迎來了自己(ji)的大爆發(fa),中國(guo)占據了世(shi)界培育鉆(zhan)石(shi)產(chan)量的80%以上(shang),近幾年在國(guo)際上(shang)產(chan)生了巨(ju)大影響力。