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中國正迎來第三代半導體技術和產業飛速發展的重要窗口期

關鍵詞 半導體|2020-12-04 10:31:48|來源 第三代半導體產業觀察
摘要 2020年11月23-25日,第十七屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA2020)暨2020國際第三代半導體論壇(IFWS2020)在深圳會展中心成功召開。本屆論壇由國家半導...

2020年11月23-25日,第十七屆中國國際半導體照明論(lun)壇(SSLCHINA 2020)暨2020國(guo)際(ji)第三代(dai)半導體論(lun)壇(IFWS 2020)在深(shen)圳會展中心成功召開(kai)。

本屆論壇由國(guo)家(jia)半(ban)導體照明(ming)工程(cheng)研發(fa)及產(chan)業(ye)(ye)聯盟(meng)(meng)(CSA)與(yu)第三代半(ban)導體產(chan)業(ye)(ye)技(ji)術創新(xin)戰略聯盟(meng)(meng)(CASA)主辦,南(nan)方科(ke)(ke)(ke)技(ji)大學(xue)微電子學(xue)院與(yu)北京麥肯(ken)橋新(xin)材料(liao)生(sheng)產(chan)力促進(jin)中(zhong)心(xin)有(you)限公司承辦。論壇得到(dao)了國(guo)家(jia)科(ke)(ke)(ke)學(xue)技(ji)術部高(gao)新(xin)技(ji)術司、國(guo)家(jia)科(ke)(ke)(ke)學(xue)技(ji)術部國(guo)際(ji)合作(zuo)司、國(guo)家(jia)工業(ye)(ye)和信(xin)息(xi)化(hua)部原材料(liao)工業(ye)(ye)司、國(guo)家(jia)節(jie)能中(zhong)心(xin)、國(guo)家(jia)新(xin)材料(liao)產(chan)業(ye)(ye)發(fa)展專(zhuan)家(jia)咨詢(xun)委(wei)員(yuan)會、深(shen)圳市科(ke)(ke)(ke)技(ji)創新(xin)委(wei)員(yuan)會的(de)大力支(zhi)持。并得到(dao)了深(shen)圳市龍華區科(ke)(ke)(ke)技(ji)創新(xin)局的(de)特別支(zhi)持。

開(kai)幕大會上,第三代半(ban)導(dao)(dao)(dao)體產業技術(shu)創(chuang)新戰略聯(lian)盟理事(shi)長、國家半(ban)導(dao)(dao)(dao)體照(zhao)明(ming)工程研發(fa)及產業聯(lian)盟理事(shi)長吳(wu)玲(ling)做了“迎挑戰 抓機(ji)(ji)遇 開(kai)新局”的(de)綜述報告。結合國內外(wai)大勢,從半(ban)導(dao)(dao)(dao)體照(zhao)明(ming)與第三代半(ban)導(dao)(dao)(dao)體產業整體發(fa)展角度,詳細分享了產業面臨的(de)挑戰、機(ji)(ji)遇與新局面。

我(wo)國(guo)在第三代半(ban)導(dao)體方面有一(yi)定的(de)技(ji)術(shu)基(ji)礎,有廣大的(de)應(ying)用(yong)市(shi)場,未來(lai)五(wu)(wu)年(nian)(nian)將是(shi)我(wo)國(guo)第三代半(ban)導(dao)體技(ji)術(shu)和產業飛(fei)速發展(zhan)(zhan)的(de)重要窗(chuang)口(kou)期。2020年(nian)(nian)是(shi)面向“十四(si)五(wu)(wu)”部(bu)署科技(ji)重點任務的(de)關鍵(jian)之(zhi)年(nian)(nian),關涉中國(guo)未來(lai)科技(ji)發展(zhan)(zhan)航向的(de)“十四(si)五(wu)(wu)”規劃和2035年(nian)(nian)遠(yuan)景目(mu)標正在徐(xu)徐(xu)展(zhan)(zhan)開。

綠(lv)色(se)低碳發展、萬物(wu)智(zhi)能互聯成為全球(qiu)共識。新(xin)一輪科技和(he)產(chan)業變(bian)革將顛覆性影響人類未來發展改變(bian)生產(chan)、生活、思維方式,重(zhong)塑(su)生產(chan)關系(xi)和(he)經濟模式。

能源(yuan)領域(yu)正在發(fa)生著(zhu)大的(de)(de)變(bian)革(ge)。其(qi)中(zhong),采用第(di)三(san)代(dai)半(ban)導體替(ti)代(dai)傳統器件,可(ke)(ke)節電萬億度。健康、智慧光源(yuan)支(zhi)撐(cheng)顛(dian)覆式(shi)創新應用。超(chao)越照明跨界融合發(fa)展光生物、光健康、光醫(yi)療,紫(zi)(zi)外(wai)光源(yuan)開(kai)創高效綠(lv)色固態紫(zi)(zi)光技術,顯(xian)示光源(yuan)開(kai)啟高度集(ji)成半(ban)導體信(xin)息顯(xian)示技術新變(bian)革(ge),信(xin)息光源(yuan)開(kai)拓高速(su)寬帶可(ke)(ke)見(jian)光通信(xin)技術。第(di)三(san)代(dai)半(ban)導體的(de)(de)自立自強,可(ke)(ke)以支(zhi)撐(cheng)“高質量”發(fa)展。支(zhi)撐(cheng)能源(yuan)與環境所(suo)面臨(lin)的(de)(de)嚴峻挑戰,支(zhi)撐(cheng)以互聯網(wang)為標(biao)志的(de)(de)新一(yi)代(dai)信(xin)息技術的(de)(de)可(ke)(ke)持續(xu)發(fa)展,支(zhi)撐(cheng)智能化(hua)為代(dai)表的(de)(de)制造業(ye)升級和高質量發(fa)展。

從(cong)產業(ye)現狀來看,2020年第三代(dai)半(ban)導體產值7032 億元(含LED),具備了(le)全創新(xin)鏈(lian)的研發(fa)能力,初(chu)步形成了(le)從(cong)材(cai)料(liao)、器(qi)件到應(ying)用的全產業(ye)鏈(lian),整(zheng)體競爭力不強,特別是(shi)核(he)心材(cai)料(liao)和關鍵裝備成為卡脖子(zi)瓶頸。

中國(guo)(guo)LED產(chan)業逐漸進入成熟(shu)期,已成為(wei)全球最(zui)大的半導體照明(ming)生產(chan)、消費、出口國(guo)(guo),有產(chan)業鏈、供(gong)應(ying)鏈優勢。上中游全球占有率顯著提升,但利潤下滑。下游應(ying)用(yong)通用(yong)照明(ming)市場強韌支撐。技術(shu)從跟(gen)跑到部(bu)分領跑。

“十三五”期間,功率型白光LED光效處于國際(ji)領(ling)先水平,功率型硅基(ji)LED芯片(pian)產業化光效不斷提升,565nm硅基(ji)黃(huang)光LED國際(ji)領(ling)跑(pao)。光電子領(ling)域應(ying)用驅動(dong)明顯,培育壯大新動(dong)能需(xu)求迫切。

半導(dao)體照(zhao)明(ming)應用角度,Mini/Micro-LED、紫外及深紫外LED創(chuang)新應用、健康智慧照(zhao)明(ming)、光(guang)(guang)生物與光(guang)(guang)醫療、設(she)施農(nong)業光(guang)(guang)照(zhao)都(dou)有很大的發(fa)展及未來市場成長(chang)空(kong)間。其中,到2025年中國紫外LED(器件(jian)及模組)市場規模可達57億元,“十四五”期間年均復合增(zeng)長(chang)率超40%。

高光(guang)品質、高顯色性器(qi)件(jian)產品(顯色指(zhi)數90以(yi)上(shang))2025年將增長到(dao)13.4億(yi)美元,“十四(si)五(wu)”期間,室(shi)(shi)內智能(neng)照明市(shi)場(chang)(chang)年均(jun)增速(su)約20%,2025年室(shi)(shi)內智能(neng)照明市(shi)場(chang)(chang)超719.12億(yi)元,在5G商用帶動下,多功能(neng)燈桿增長勢頭強勁,十四(si)五(wu)”市(shi)場(chang)(chang)空間約為466億(yi)元。智能(neng)駕駛(shi)時(shi)代(dai)交(jiao)通(tong)光(guang)信號承載人(ren)-車-環(huan)境的智能(neng)交(jiao)互,從汽車照明到(dao)車用傳感全面布局(ju)。

中國第三代半導體正迎來發展的窗口期。第三代半導體方面,功率及射頻半導體解決有無,性能和制造能力亟待提升。雙循環模式推動國產化替代。2020年中國SiC(碳化硅)、GaN(氮(dan)化鎵)電力電子和微波射頻產值預計將約為70億元(yuan)。

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5G加速(su)推進GaN射頻應用迅猛增長,預計(ji)2025年5G基站500-550萬個(ge),直接拉(la)動(dong)基站投資約2.5萬億(yi)。新能(neng)源汽車及消費電(dian)子成為突破口(kou)。資本加速(su)進入,并購擴產頻繁。區(qu)域布局初步形(xing)成。

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其中(zhong),中(zhong)國(guo)的GaN微波射頻產業產值2020年(nian)將(jiang)(jiang)達到33.75億元(yuan),比去年(nian)的26.15億元(yuan)將(jiang)(jiang)增長(chang)29%;SiC、GaN電力電子(zi)產業產值2020年(nian)將(jiang)(jiang)達到35.35億元(yuan),比去年(nian)的29.03億元(yuan)將(jiang)(jiang)增長(chang)21.77%。

另一方面(mian),市(shi)場(chang)規模擴大,5G加速推進GaN射(she)頻(pin)應(ying)用迅猛(meng)增長,2020年中(zhong)國(guo)GaN射(she)頻(pin)器(qi)件市(shi)場(chang)規模約170億元(yuan)(yuan);新(xin)能源汽(qi)車及消費電子(zi)成為突破口,2020年中(zhong)國(guo)電力電子(zi)器(qi)件應(ying)用市(shi)場(chang)規模58.2億元(yuan)(yuan)。

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未來,要做好頂層(ceng)設計、統籌(chou)規(gui)劃(hua)、長期穩定投(tou)入。夯實(shi)支(zhi)撐(cheng)產業鏈的公(gong)共研發與(yu)服務(wu)等基礎平臺,探索(suo)構(gou)建(jian)第三代半導體產業創新生態,加強(qiang)精準的國(guo)際與(yu)區域的深度(du)合作,共同努力(li)全鏈條進入世(shi)界(jie)先進行列。

2030年(nian)形成(cheng)(cheng)發展優勢,5G射(she)頻國產(chan)化(hua)率90%,6G通(tong)信用(yong)(yong)射(she)頻器件實現產(chan)業化(hua);功率半導體在新能源(yuan)汽車、高(gao)速列車、通(tong)用(yong)(yong)電源(yuan)等領域國產(chan)化(hua)率70%;Micro-LED、深紫外LED國產(chan)化(hua)率80%;開發出萬(wan)伏千安級碳(tan)化(hua)硅全(quan)系列產(chan)品, 支撐特高(gao)壓裝備(bei)技術(shu)國際引領;產(chan)業鏈核(he)心環節形成(cheng)(cheng)1-3家世界級龍頭企業;帶動產(chan)值超過3萬(wan)億(yi)元,年(nian)節電萬(wan)億(yi)度。

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