近期在國內資本市場上，最引人關注的板塊概念非第三代半導體莫屬。第三代半導體為啥火了？除了一些可能出臺的政策助推外，關鍵在于第三代半導體材料研發為我國半導體產業實現“彎道超車”提供了機遇。與前兩代半導體材料相比，第三代半導體材料碳化硅（SiC）和氮(dan)化鎵（GaN）的物理特性更(geng)優異(yi)，在光(guang)電(dian)子(zi)、電(dian)力電(dian)子(zi)、微波(bo)射頻等領域將發揮更(geng)大作用。隨(sui)著我(wo)國5G等新(xin)一代(dai)通信技(ji)術快速發展，第三(san)代(dai)半(ban)導體材料應用將駛上(shang)快車(che)道。

談到第(di)三代(dai)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)，揚杰(jie)(jie)科(ke)(ke)技(ji)近(jin)年來在相關領域(yu)取得了(le)一定成(cheng)績(ji)。作為半(ban)導(dao)體(ti)(ti)產(chan)業(ye)集設計、制(zhi)造和銷(xiao)售于一體(ti)(ti)的(de)集成(cheng)電(dian)路系統集成(cheng)服務商（IDM），江蘇揚州揚杰(jie)(jie)電(dian)子(zi)科(ke)(ke)技(ji)股份有(you)限公司(si)(si)多(duo)年位列中國功(gong)(gong)率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)公司(si)(si)前(qian)列，該公司(si)(si)各類電(dian)力(li)電(dian)子(zi)器(qi)件芯片、功(gong)(gong)率(lv)二極管(guan)等(deng)廣(guang)泛應用于5G、電(dian)力(li)電(dian)子(zi)、安防(fang)、工控、汽車電(dian)子(zi)、新能源等(deng)諸(zhu)多(duo)領域(yu)。尤其在第(di)三代(dai)半(ban)導(dao)體(ti)(ti)材料氮化鎵（GaN）、碳(tan)化硅（SiC）等(deng)中高端功(gong)(gong)率(lv)芯片、器(qi)件領域(yu)，揚杰(jie)(jie)科(ke)(ke)技(ji)聯(lian)合北京(jing)大(da)學、電(dian)子(zi)科(ke)(ke)技(ji)大(da)學等(deng)高校，取得重大(da)技(ji)術突破(po)，填補了(le)同類產(chan)品在國內的(de)空白。

今(jin)年4月份，揚杰科技功率半(ban)(ban)導(dao)體(ti)器件(jian)及集成電(dian)路封裝測試項目主體(ti)工程在揚州開(kai)工，該(gai)項目總(zong)投資30億元，通過建(jian)設(she)高水平智(zhi)能(neng)終(zhong)端用超薄微(wei)功率半(ban)(ban)導(dao)體(ti)芯(xin)片封測基地，實現(xian)高端功率半(ban)(ban)導(dao)體(ti)自主生產。

揚杰科技總經理劉從(cong)寧介(jie)紹，為加快關鍵核心技術攻關，揚杰科技近3年累計(ji)研(yan)發(fa)(fa)投入2.73億元(yuan)，實現了從(cong)芯片制造到器件IDM垂直整合，目前已擁有各類授權專(zhuan)(zhuan)利273件，發(fa)(fa)明專(zhuan)(zhuan)利46件。