根據內部市場研究團隊開發的新價值鏈模型，2018年太陽能行業多晶硅消耗量將(jiang)下降到(dao)低于4g/W，并(bing)于2018年四季度底達到(dao)3.92g/W。

　　僅(jin)僅(jin)幾年前，業界還習(xi)慣(guan)于5-6g/W的水(shui)平。但(dan)最近在(zai)數(shu)項同時運行(xing)的因素驅動下，這一切都已經改變(bian)了。

　　這篇文章解(jie)釋了(le)(le)我們的研究團隊開發的一個新(xin)模型，該模型考慮了(le)(le)影(ying)響材料效率的各(ge)項關鍵因素并能夠(gou)進行精準預(yu)測。

　　介紹光伏技術的新多晶模型

　　新分(fen)析(xi)的(de)(de)核(he)心(xin)內容(rong)是我們對整個c-Si價值鏈(lian)的(de)(de)生產商進行自下(xia)而上的(de)(de)追(zhui)蹤以(yi)及為(wei)所有影(ying)響(xiang)組件效率(lv)和硅片厚度(du)的(de)(de)變量分(fen)配電池技術。

　　分析通過硅片制備、鑄錠和最終達到多晶硅g/W水平獲得了空前詳盡的信息，而業內一貫采用的是自上而下的簡易快速估算法。分析內容包括實際電池生產、通過技術方法實現的電池-組件連接損耗、單晶/多晶用途(包括n型和p型電池變量)、金剛線切割的使用(yong)、切口(kou)損失和影(ying)響整個行業多(duo)晶硅用(yong)量(g/W)不斷(duan)減少(shao)的其(qi)他多(duo)項因素。

　　分析得出的結論是目(mu)前水平(混合(he))為4.16g/W，行業的演進令人期(qi)待(dai)。而多變量輸(shu)入(ru)模型的關鍵優勢在于預(yu)測以及評估2018年之(zhi)后(hou)的行業走勢。預(yu)計2018年之(zhi)后(hou)多晶硅產量(包括半導體使用的一小部分)將達到(dao)512kMT。

　　預計多(duo)晶硅(gui)消耗量在15年1季(ji)度和18年4季(ji)度之間下降(jiang)了25%，在2018年結束(shu)時(shi)混合水平下降(jiang)到3.9g/W。

　　金剛線、單晶和PERC技術降低了多晶

　　主要有(you)(you)兩種因素(su)促(cu)成了多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)(gui)g/ W消耗量的下(xia)跌：金剛線切割和(he)電池(chi)效率的提(ti)高(gao)(更多(duo)的使(shi)用單(dan)晶(jing)(jing)，尤其是PERC技術(shu))。到2018年(nian)年(nian)底，幾(ji)乎所有(you)(you)的硅(gui)(gui)片生(sheng)產(單(dan)晶(jing)(jing)和(he)多(duo)晶(jing)(jing))都會(hui)使(shi)用金剛線，幾(ji)乎所有(you)(you)的單(dan)晶(jing)(jing)產品都會(hui)使(shi)用PERC技術(shu)，而多(duo)晶(jing)(jing)產品將會(hui)經歷自身PERC技術(shu)升(sheng)級的階段。這些變化令其他階段發生(sheng)的漸(jian)進式改進(鑄錠/拉錠、電池(chi)-組件損失和(he)硅(gui)(gui)片厚度減(jian)少)相形(xing)見絀。

　　目前多晶硅消耗量下降的關鍵因素是單晶硅片使用的(de)(de)增多、電池效(xiao)率的(de)(de)提高、單晶(jing)和多晶(jing)硅片制備向金剛線切割的(de)(de)轉移(yi)。

　　2018年之后，g/W水(shui)平(ping)的下(xia)降比例應有所放緩。大(da)部分產業(ye)升級使用(yong)金剛線技術，持續(xu)下(xia)降源于每年切口損失的減(jian)少(shao)，但這種減(jian)少(shao)并不明顯。

　　如不(bu)考慮電(dian)(dian)池(chi)效率(lv)的(de)(de)提(ti)高(gao)，僅僅p型單晶份額(e)的(de)(de)增加就會對(dui)g/W水平產生下行壓力。在(zai)考慮發電(dian)(dian)量(liang)時，現場業主對(dui)雙(shuang)玻組件和雙(shuang)面技術(shu)的(de)(de)因素更(geng)感興趣，因而電(dian)(dian)池(chi)效率(lv)提(ti)高(gao)產生的(de)(de)影響(xiang)力也會減少。

　　然而，雖然尚不清(qing)楚(在大約180微(wei)米的硅片上的)效率改進是否會明顯高于領(ling)先的p型(xing)單晶產品(pin)，但優(you)勢(shi)源(yuan)自n型(xing)變量更高的穿透(tou)性。

　　減少硅片厚度會成為重中之重

　　這(zhe)令(ling)我們認識到，減少硅(gui)片厚度(du)是所有長期(qi)多晶硅(gui)消耗量分析的百搭(da)議題。硅(gui)片第一次(ci)的可(ke)能(neng)升級(ji)路徑是減少厚度(du)，向140微米轉(zhuan)變，這(zhe)種(zhong)轉(zhuan)變不可(ke)避免，而(er)如果沒有這(zhe)種(zhong)轉(zhuan)變，這(zhe)個行業(ye)還能(neng)走多久?

　　金剛線切割行業(ye)正在邁向2019年，薄(bo)硅(gui)片前景(jing)比以往(wang)任(ren)何時候都令人振(zhen)奮。對關注未(wei)來幾年顛覆性(xing)技術的人們來說，這一定是(shi)關注重點。而同樣值得注意的是(shi)，現在電池生產線的自(zi)動化(hua)程度更(geng)高了，這是(shi)轉向薄(bo)硅(gui)片利用的其他數項關鍵(jian)因素之(zhi)一。

　　如果太陽(yang)能行業從2019年(nian)開始走上減少(shao)硅片厚度的道路的話，那么除了正在(zai)施工的和在(zai)未(wei)來(lai)18個月(yue)內并網的項目外(wai)，基(ji)本上會停止(zhi)所有(you)新的多晶硅產能擴張計劃。

　　以此為例。如果(guo)太(tai)陽能(neng)行業五年(nian)內(nei)的年(nian)度增(zeng)長因數為2X(從2017的100GW到2022年(nian)的200GW)，那么2022年(nian)太(tai)陽能(neng)行業所(suo)需(xu)要(yao)的多(duo)晶硅會從約670kMT(使用(yong)180微米硅片得出的保(bao)守g / W預測值)下降到約550kMT(如大(da)部分(fen)轉(zhuan)向(xiang)使用(yong)140微米硅片)。

　　這清(qing)楚的(de)展(zhan)現出(chu)2018-2019年之后多晶(jing)硅(gui)擴張計劃脆弱的(de)一面，而今年行業出(chu)貨量可以(yi)輕松達到475kMT。

　　當然這里要提(ti)出警告的(de)是(shi)，由于受隨之而來的(de)材(cai)料成(cheng)本下降的(de)推動，整(zheng)體而言太陽(yang)能行業全球競爭激(ji)烈，需求彈性能夠發揮多大的(de)作(zuo)用。

　　多晶硅生產商需要成為電池專家才能生存

　　然(ran)而，未來幾年必然(ran)是(shi)消耗(hao)多(duo)(duo)晶(jing)硅的時代，很(hen)明顯，多(duo)(duo)晶(jing)硅生產商需要(yao)成為電(dian)池技術(shu)變革的專家(從單晶(jing)電(dian)池份額的基本知識到減少硅片厚度的計劃)。從中(zhong)短期來說，電(dian)池生產線的改進(jin)仍將是(shi)g/W水平的主要(yao)驅動力。