為努(nu)力實現(xian)更(geng)高的(de)功(gong)率(lv)密度并(bing)滿足嚴格的(de)效(xiao)率(lv)法規要求(qiu)以及系(xi)(xi)統正常運行時間(jian)要求(qiu)，工業和(he)功(gong)率(lv)電子設計人(ren)員在進行設計時面臨(lin)著不斷降低功(gong)率(lv)損耗(hao)和(he)提(ti)高可(ke)靠性的(de)難(nan)題。 然而，在可(ke)再生能(neng)源(yuan)、工業電機(ji)驅(qu)動器、高密度電源(yuan)、汽車以及井(jing)下作(zuo)業等領域，要想增強這些關(guan)鍵設計性能(neng)，設計的(de)復雜(za)程(cheng)度就會提(ti)高，同時還會導(dao)致總體系(xi)(xi)統成本提(ti)高。

　　為幫助設計人員解決這些難題，全球領先的高性能功率和移動半導體解決方案供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 發布了非常適合功率轉換系統的碳化硅(SiC)技(ji)術解決方案(an)，進而拓展(zhan)了(le)公司在創新型高性能功率晶體管技(ji)術領域的(de)領先(xian)地位。　　

　　飛兆半導體SiC解決方案(an)助您成功

　　通過在(zai)產品組(zu)合中引入基于SiC技(ji)術的新產品成員，飛兆半導體進一步鞏固了其(qi)在(zai)創新型高性能功率晶體管技(ji)術領(ling)域(yu)的產品領(ling)先地(di)位。

　　飛兆半導體(ti)的SiC特性包括：

經過優化的半標準化自定義技術解決方案，可充分利用自身較大的半導體器件與模塊封裝技術組合
憑借功能集成和設計支持資源簡化工程設計難題的先進技術，可在節約工程設計時間的同時最大限度地減少元器件數量。
具有尺寸、成本和功率優勢的較小型先進封裝集成了領先的器件技術，可滿足器件制造商和芯片組供應商的需求
　　在飛(fei)兆(zhao)半導體SiC組合中首先要發布的(de)一批產品是先進(jin)(jin)的(de)SiC雙極結型晶體管(guan)(guan)(BJT)系(xi)列(lie)，該系(xi)列(lie)產品可實(shi)現較(jiao)高(gao)的(de)效率(lv)(lv)、電流密(mi)度和(he)可靠性，并且能(neng)夠(gou)順利(li)(li)地進(jin)(jin)行高(gao)溫工作。 通過利(li)(li)用效率(lv)(lv)出色的(de)晶體管(guan)(guan)，飛(fei)兆(zhao)半導體的(de)SiC BJT實(shi)現了更(geng)高(gao)的(de)開(kai)關頻率(lv)(lv)，這是因為傳導和(he)開(kai)關損(sun)耗(hao)較(jiao)低(di)(30-50%)，從而能(neng)夠(gou)在相同(tong)尺寸的(de)系(xi)統中實(shi)現高(gao)達40%的(de)輸出功率(lv)(lv)提升。

　　這(zhe)些強(qiang)健的(de)BJT支持使(shi)用(yong)更小的(de)電感、電容和(he)散熱片，可將系統總體成本降低多達20%。 這(zhe)些業界領先(xian)的(de)SiC BJT性(xing)能(neng)出(chu)眾，可促(cu)進更高的(de)效(xiao)率和(he)出(chu)色(se)的(de)短路及逆向偏(pian)壓安全工(gong)作(zuo)區，將在高功率轉換應用(yong)的(de)功率管理優化中發揮重大作(zuo)用(yong)。

　　飛兆半(ban)導體(ti)還(huan)(huan)(huan)開發了即(ji)(ji)插即(ji)(ji)用(yong)的(de)分(fen)立式驅(qu)(qu)動器電(dian)路板(ban)(15A和50A版本)，作為整套碳化(hua)硅解(jie)決方案的(de)一部分(fen)，與飛兆半(ban)導體(ti)的(de)先進(jin)SiC BJT配合使(shi)用(yong)時(shi)，不僅(jin)能(neng)夠在(zai)減少開關損耗和增強可(ke)(ke)靠性的(de)條件(jian)下提高開關速(su)度，還(huan)(huan)(huan)使(shi)得設(she)(she)計(ji)(ji)人(ren)員能(neng)夠在(zai)實(shi)際應(ying)用(yong)中輕松(song)實(shi)施SiC技術。飛兆半(ban)導體(ti)為縮短設(she)(she)計(ji)(ji)時(shi)間、加快(kuai)上市速(su)度，還(huan)(huan)(huan)提供了應(ying)用(yong)指(zhi)南(nan)和參(can)(can)考設(she)(she)計(ji)(ji)。應(ying)用(yong)指(zhi)南(nan)可(ke)(ke)供設(she)(she)計(ji)(ji)人(ren)員獲取(qu)SiC器件(jian)設(she)(she)計(ji)(ji)所必需的(de)其他支持;參(can)(can)考設(she)(she)計(ji)(ji)有(you)助于開發出符合特定應(ying)用(yong)需求的(de)驅(qu)(qu)動器電(dian)路板(ban)。

　　SiC BJT和(he)其他SiC

　　有史以來最高效的1200 V功率轉換開關
　　    ? 最低的總損耗，包括開關、傳導及驅動器損耗
　　    ? 所有(you)1200 V器件(jian)(jian)中最低的開(kai)關損耗(任意RON條件(jian)(jian)下)

　　簡單直接的驅動
　　    ? 常關功能降低了風險和復雜程度，并減少了限制性能的設計
　　    ? 穩(wen)定的基(ji)極(ji)輸入，對過壓(ya)/欠壓(ya)峰值不(bu)敏(min)感

　　強健且可靠
　　    ? 額定工作溫度高： Tj=175°C
　　    ? 由于RON具有正溫度系數，增益具有負溫度系數，因此易于并聯
　　    ? 穩定持(chi)久的Vbe正向電壓(ya)和反向阻隔能力(li)

　　封裝和報(bao)價信息(xi)(訂購1,000個，美元)

　　飛兆半導體的SiC BJT采用TO-247封裝;符合條件的客戶從現在起即可獲取工程設計樣本。