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官方微信摘要 意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)發布碳化硅產品創新成果，助力系統廠商研發能夠將太陽能轉化成電網電能的高能效電子設備。意法半導體已于近日在美國佛羅里達州舉...
意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)發布碳化硅產品創新成果，助力系統廠商研發能夠將太陽能轉化成電網電能的高能效電子設備。意法半導體已于近日在美國佛羅里達州舉辦的2012年國際太陽能展覽會暨研討會(Solar Power International 2012)上展出了1200V碳化硅二極管。該產品可取代DC-DC升壓轉換器和DC-AC逆變器所用的普通二極管，把太陽能光伏板模塊的低壓輸出電能轉換成高質量的電網電壓AC電能。
作為太陽(yang)能發電用二(er)極(ji)管的(de)基本材(cai)料，碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)二(er)極(ji)管的(de)各(ge)項技(ji)術指(zhi)標均優于普通雙(shuang)極(ji)二(er)極(ji)管(silicon bipolar)技(ji)術。碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)二(er)極(ji)管導(dao)通與關(guan)斷狀態的(de)轉換速度(du)非(fei)常(chang)快，而且沒有普通雙(shuang)極(ji)二(er)極(ji)管技(ji)術開關(guan)時的(de)反向恢復(fu)電流(liu)。在(zai)消除(chu)反向恢復(fu)電流(liu)效(xiao)應(ying)后，碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)二(er)極(ji)管的(de)能耗降低70%，能夠在(zai)寬(kuan)溫度(du)范圍內保持高(gao)能效(xiao)，并提高(gao)設(she)計人員(yuan)優化(hua)(hua)系統工作頻率的(de)靈活性。
意法半導(dao)體(ti)(ti)的(de)(de)(de)1200V碳化(hua)(hua)硅(gui)二(er)極管試驗證明，即便負載和(he)開關頻率很高，逆(ni)變(bian)器(qi)(qi)總體(ti)(ti)能(neng)效(xiao)仍(reng)然提高2%。在逆(ni)變(bian)器(qi)(qi)的(de)(de)(de)額定生(sheng)命周期內，2%的(de)(de)(de)能(neng)效(xiao)改進(jin)可讓家(jia)庭太陽(yang)能(neng)發(fa)電(dian)(dian)系統和(he)大(da)功率發(fa)電(dian)(dian)站節省數兆瓦(wa)小時的(de)(de)(de)寶貴(gui)電(dian)(dian)能(neng)。意法半導(dao)體(ti)(ti)還發(fa)布了碳化(hua)(hua)硅(gui)MOSFET項(xiang)目的(de)(de)(de)最新進(jin)展。意法半導(dao)體(ti)(ti)的(de)(de)(de)碳化(hua)(hua)硅(gui)MOSFET將是(shi)世界首批(pi)商用碳化(hua)(hua)硅(gui)MOSFET。因為有諸多優點，預計將會取代太陽(yang)能(neng)逆(ni)變(bian)器(qi)(qi)中(zhong)的(de)(de)(de)高壓硅(gui)絕緣柵雙極晶體(ti)(ti)管 (Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)。
除(chu)了比IGBT降低50%的(de)(de)能(neng)(neng)耗外(wai)，碳化硅MOSFET無需(xu)特殊的(de)(de)驅動電(dian)(dian)路(lu)，且(qie)工作頻率更高，這讓(rang)設(she)計人員能(neng)(neng)夠盡(jin)可能(neng)(neng)減少電(dian)(dian)源元器件數量，降低電(dian)(dian)源成本和尺(chi)寸，并提高能(neng)(neng)效(xiao)。碳化硅MOSFET和二極管的(de)(de)其它應用包括計算機房和數據中心用的(de)(de)大型電(dian)(dian)源和電(dian)(dian)動汽車的(de)(de)馬達驅動電(dian)(dian)子(zi)系(xi)統。
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