特點 |
砂漿切割 |
電鍍金剛線切割 |
樹脂金剛線切割 |
切(qie)割方式 |
研磨 |
刻削 |
刻削 |
硅(gui)片表面特征 |
線痕 |
絲(si)痕 |
絲(si)痕 |
破(po)壞深度um |
5-15 |
5-10 |
4-7 |
每次加工硅片數量(liang) |
1400-4600 |
1400-1800 |
1400-1800 |
切(qie)口消(xiao)耗 um |
(120-150)±24 |
160-210 |
126 |
硅片最小厚(hou)度 |
160 |
120 |
120 |
ttv |
24 |
8 |
8 |
2.砂(sha)漿和(he)樹(shu)脂金剛線切(qie)割硅片出片率(lv)對比
項目 |
晶(jing)棒長(chang)度 |
硅片厚度 |
切(qie)割間距 |
預想成品率 |
出(chu)片率(lv) |
比較 |
砂漿切割 |
|
180um |
330um |
90% |
1227 |
—— |
樹脂(zhi)金剛線 |
|
180um |
310um |
92% |
1335 |
8.8%up |
備(bei)注:1.砂漿(jiang)切割(ge) w=120um,sic切割損耗=30um,合計(ji)150um
2.金剛線(xian)切割,w=100um,D=10-20um,合計(ji)130um