采用晶格常數和表面能都與CBN非常接近的金剛石作(zuo)為襯(chen)(chen)底(di)，可(ke)(ke)以(yi)實現CBN的異(yi)質(zhi)外(wai)延(yan)。這些外(wai)延(yan)單晶CBN薄膜(mo)制備的成功使得有效地(di)應用CBN薄膜(mo)制備半(ban)導體(ti)器件成為可(ke)(ke)能。此外(wai)，也可(ke)(ke)利用其他材料作(zuo)為襯(chen)(chen)底(di)來(lai)進(jin)行CBN膜(mo)的異(yi)質(zhi)外(wai)延(yan)。比(bi)如硅(gui)襯(chen)(chen)底(di)預處(chu)理(li)后可(ke)(ke)以(yi)實現TBN在(zai)襯(chen)(chen)底(di)上的直(zhi)接生長，可(ke)(ke)有效降低過渡層的厚度。