2025年兩院院士增選(xuan)有(you)效(xiao)候選(xuan)人(ren)名單已于8月20日公(gong)布(bu)36。中國(guo)科學院(yuan)有(you)效(xiao)候選(xuan)人(ren)639人(ren)，中國(guo)工程院(yuan)有(you)效(xiao)候選(xuan)人(ren)660人(ren)。

       在這份名單中，多位長期深耕于金剛石及寬禁帶半導體領域的學者入選35。這些候選人的研究覆蓋了從單晶金剛石生長、超寬禁帶半導體電子學到碳化硅產業化等(deng)多個(ge)前沿領域。

       院士增選總體情況

       2025年兩院(yuan)院(yuan)士增選(xuan)工(gong)作于4月25日正式啟動，中國(guo)(guo)科(ke)學院(yuan)和中國(guo)(guo)工(gong)程(cheng)院(yuan)增選(xuan)名(ming)額(e)各不超過100名(ming)。

 ;      中(zhong)國科學(xue)(xue)院(yuan)公布的增選(xuan)有(you)效(xiao)候選(xuan)人(ren)(ren)中(zhong)，數學(xue)(xue)物理學(xue)(xue)部98人(ren)(ren)，化(hua)學(xue)(xue)部105人(ren)(ren)，生命科學(xue)(xue)和醫(yi)學(xue)(xue)學(xue)(xue)部125人(ren)(ren)，地學(xue)(xue)部96人(ren)(ren)，信息技術科學(xue)(xue)部61人(ren)(ren)，技術科學(xue)(xue)部104人(ren)(ren)，另有(you)特別(bie)推薦領(ling)域50人(ren)(ren)。

       中國(guo)工(gong)(gong)程院有效(xiao)候選人分布在(zai)各(ge)個學部，包括機械(xie)與(yu)運(yun)載(zai)工(gong)(gong)程學部68人，信息與(yu)電子工(gong)(gong)程學部68人，化工(gong)(gong)、冶金與(yu)材(cai)料工(gong)(gong)程學部71人等。

       金剛石及寬禁帶半導體領域候選人

       在(zai)此(ci)次候選人名單中(zhong)，眾多長期(qi)深耕(geng)于金剛石及寬(kuan)禁帶半導(dao)體領(ling)域的科(ke)(ke)研(yan)(yan)團隊脫穎(ying)而出，他們(men)的入選不僅凸顯了(le)該領(ling)域在(zai)科(ke)(ke)研(yan)(yan)層面(mian)的重(zhong)要價值，更彰(zhang)顯了(le)其在(zai)國(guo)家戰略布局(ju)與(yu)產業(ye)應用(yong)中(zhong)的關鍵地位(wei)。以(yi)下為相關研(yan)(yan)究團隊介紹（排名不分先(xian)后，如有遺漏，歡迎補充(chong)指正）：

       1、哈爾濱工(gong)業大學(xue)朱(zhu)嘉(jia)琦團(tuan)隊：長(chang)期(qi)專注于金(jin)剛石晶體材(cai)料(liao)(liao)、透明件材(cai)料(liao)(liao)以及(ji)高導(dao)熱(re)復合材(cai)料(liao)(liao)等領域(yu)的(de)研究(jiu)。單晶金(jin)剛石憑借其極佳的(de)電(dian)學(xue)性(xing)能、最(zui)高的(de)材(cai)料(liao)(liao)熱(re)導(dao)率(lv)、良好的(de)化學(xue)惰性(xing)以及(ji)高的(de)輻(fu)射抗性(xing)，被譽(yu)為終極半導(dao)體材(cai)料(liao)(liao)。該團(tuan)隊在金(jin)剛石成工(gong)藝、金(jin)剛石高導(dao)熱(re)及(ji)半導(dao)體器件應(ying)用等方(fang)面成果斐然，取(qu)得(de)了顯著進展。

       2、西安電(dian)(dian)子(zi)科技大(da)學張進成(cheng)團(tuan)隊：研(yan)究方向(xiang)聚焦于超寬(kuan)禁帶半導體電(dian)(dian)子(zi)學（涵蓋(gai)氧化(hua)鎵、金剛石、氮(dan)化(hua)鋁等）、寬(kuan)禁帶半導體電(dian)(dian)子(zi)學（如(ru)氮(dan)化(hua)鎵等）以(yi)及大(da)功率射頻芯片與電(dian)(dian)力(li)電(dian)(dian)子(zi)芯片。近(jin)年來，團(tuan)隊在(zai)超寬(kuan)禁帶半導體研(yan)究領域(yu)取得一(yi)系列突破性(xing)成(cheng)果，例如(ru)金剛石場效應晶體管在(zai)柵(zha)長(chang)為2μm時(shi)，仍能保持(chi)400mA/mm的高電(dian)(dian)流密度，并(bing)可在(zai)200°C環境下穩(wen)定工作。

       3、哈爾濱工業大學武(wu)高輝團隊：首創大氣環境下金屬(shu)基復(fu)合材料(liao)浸滲(shen)、成(cheng)型、界(jie)面反(fan)控制同步制造(zao)技術。借助這一創新技術，實現了低成(cheng)本、綠(lv)色化(hua)制造(zao)的金剛石/鋁和金剛石/銅超(chao)高導熱復(fu)合材料(liao)及凈成(cheng)型構(gou)件(jian)，成(cheng)功攻克高功率器件(jian)的散熱難題。

       4、華僑大(da)學徐西鵬(peng)團隊：研究方向為“硬脆材(cai)(cai)料(liao)先進(jin)加(jia)(jia)工(gong)科(ke)學與技(ji)術(shu)”，重點探索“半導體材(cai)(cai)料(liao)精密超(chao)精密磨(mo)粒加(jia)(jia)工(gong)新技(ji)術(shu)”。目前，徐西鵬(peng)主持國家自(zi)然科(ke)學基(ji)金重點項目“晶圓級單晶金剛石(shi)襯底的(de)活性硬質磨(mo)粒協同加(jia)(jia)工(gong)原(yuan)理與關鍵(jian)技(ji)術(shu)研究”。

       5、山東(dong)大(da)學徐現剛團(tuan)隊(dui)：在(zai)碳化(hua)硅(gui)(gui)領域成績卓著(zhu)，于(yu)碳化(hua)硅(gui)(gui)生長(chang)機理、高(gao)純半絕緣(yuan)創制(zhi)、裝備(bei)(bei)研發(fa)及產業(ye)化(hua)方面取得(de)系列創造性成果。團(tuan)隊(dui)先(xian)后突破2 - 12英寸碳化(hua)硅(gui)(gui)單晶(jing)生長(chang)技術，在(zai)我國(guo)首次攻克(ke)高(gao)純半絕緣(yuan)碳化(hua)硅(gui)(gui)晶(jing)體(ti)制(zhi)備(bei)(bei)系列技術壁壘(lei)。相關(guan)成果應用于(yu)雷達系統(tong)核心器(qi)件，已全面列裝于(yu)先(xian)進戰機、制(zhi)導武(wu)器(qi)、大(da)型戰艦等我軍主力(li)裝備(bei)(bei)。

       6、北京大學沈波團隊(dui)：主要從(cong)事(shi)III族氮化(hua)物（GaN基）寬禁帶半導體物理、材料和器件(jian)研究(jiu)。在強極化(hua)、高能帶階躍(yue)體系(xi)中二維(wei)電(dian)子氣輸運規(gui)律、GaN基異質(zhi)結構外(wai)延生(sheng)長和缺陷控制等方面(mian)取得重要進展，在國內(nei)外(wai)同行中產生(sheng)一定(ding)影響。此外(wai)，在GaN基異質(zhi)結構二維(wei)電(dian)子氣自旋性(xing)質(zhi)、GaN基量子阱子帶躍(yue)遷(qian)器件(jian)等方面(mian)也(ye)取得一系(xi)列成果。

       7、西安電子科(ke)技大(da)學(xue)馬曉華團隊：二十余年(nian)來致力于寬禁(jin)帶(dai)半導(dao)體基礎創新(xin)和關鍵技術(shu)研究。“高(gao)能效超寬帶(dai)氮化鎵(jia)射(she)頻功率放大(da)器(qi)關鍵技術(shu)及在5G通(tong)信產業化應用”項目(mu)榮獲2023年(nian)度國家科(ke)學(xue)技術(shu)進步一(yi)等獎。

       8、中國(guo)科學(xue)院物理研究所陳小龍團隊：長(chang)(chang)期投身(shen)于功能晶(jing)體(ti)(ti)材料(liao)研究工(gong)(gong)作，發展了寬禁(jin)帶半導(dao)體(ti)(ti)碳化(hua)(hua)硅晶(jing)體(ti)(ti)生長(chang)(chang)新方法，推動我(wo)國(guo)碳化(hua)(hua)硅晶(jing)體(ti)(ti)生長(chang)(chang)和加(jia)工(gong)(gong)技術實現從無到有(you)、從零到一的(de)跨越，達成(cheng)產業自主可控。通(tong)過發現并利用碳化(hua)(hua)硅/石墨異(yi)質雙界(jie)面的(de)自發成(cheng)核規(gui)律，發明(ming)電場(chang)(chang) - 磁場(chang)(chang) - 熱場(chang)(chang)高效耦合(he)的(de)單晶(jing)生長(chang)(chang)方法和裝備，攻克晶(jing)體(ti)(ti)擴徑這一學(xue)術難題(ti)。在國(guo)內(nei)率先開展成(cheng)果轉化(hua)(hua)，創立(li)國(guo)內(nei)首家碳化(hua)(hua)硅晶(jing)體(ti)(ti)產業化(hua)(hua)公司。提(ti)出界(jie)面能調控晶(jing)型理論(lun)，通(tong)過設計助(zhu)溶劑(ji)成(cheng)份，在國(guo)際上首次生長(chang)(chang)出具有(you)實用價值(zhi)的(de)2 - 6英寸的(de)3C - SiC晶(jing)體(ti)(ti)，使3C - SiC/SiO2柵(zha)氧界(jie)面態密(mi)度降低1個(ge)數量級。

       9、株(zhu)洲中(zhong)(zhong)車(che)時代半(ban)導體有限公司劉國(guo)友團隊：自2008年(nian)起(qi)主持大(da)功率(lv)IGBT芯(xin)片與模塊技術(shu)的(de)研(yan)究與開(kai)發工作，2010年(nian)著手組(zu)建(jian)功率(lv)半(ban)導體林(lin)肯研(yan)發中(zhong)(zhong)心，聚焦IGBT和碳化硅技術(shu)。

       領域重要意義與發展前景

       金(jin)剛(gang)石被稱為“終極(ji)半導體(ti)材料(liao)(liao)”，具有極(ji)佳(jia)的電(dian)學性(xing)能、最高的材料(liao)(liao)熱導率、良好的化學惰性(xing)和高的輻射抗性(xing)。在“后摩爾”時代，金(jin)剛(gang)石是實現電(dian)子(zi)、光(guang)電(dian)子(zi)和量子(zi)芯片的基礎性(xing)材料(liao)(liao)。

       2020年我國人造金剛(gang)石(shi)產量(liang)為207億克拉，較2015年增(zeng)加51億克拉，占全(quan)球90%以上(shang)市場份額。隨著CVD（化學氣相(xiang)沉(chen)積(ji)）法的發展，人造金剛(gang)石(shi)已(yi)經可與天然(ran)鉆石(shi)相(xiang)媲美(mei)甚至在(zai)橫向面積(ji)、純度等方面更(geng)占優勢。

       寬禁帶(dai)半導體材料如碳化硅(gui)、氮化鎵等，是(shi)制造高溫、高頻、大功(gong)率(lv)電子器件的關鍵材料，在5G通信、新(xin)能(neng)源(yuan)汽車、智能(neng)電網等領(ling)域具有廣泛應(ying)用(yong)前景(jing)。

       我國在寬禁(jin)帶(dai)半(ban)導體領域已經取得了(le)顯著(zhu)進展，突(tu)破了(le)國際封鎖，實現(xian)了(le)設(she)備(bei)自主可控(kong)，對(dui)產(chan)業升(sheng)級及下一代(dai)半(ban)導體領域實現(xian)彎道超(chao)車(che)有著(zhu)重要作用(yong)。