1月17日，工業和信息化部發布關于組織開展2025年未來產業創新任務揭榜掛帥工作的(de)通(tong)知。通(tong)知顯示(shi)，將面向量子科技、原子級制造、清潔(jie)氫3個(ge)未(wei)來(lai)產(chan)業，布局一(yi)批(pi)核心基礎(chu)、重(zhong)點(dian)產(chan)品(pin)、公(gong)共支撐、示(shi)范應(ying)用創新(xin)(xin)(xin)任務，發掘培(pei)育(yu)一(yi)批(pi)掌握關(guan)鍵核心技術、具備(bei)較強(qiang)創新(xin)(xin)(xin)能(neng)力的(de)優勢(shi)單位(wei)，突(tu)破一(yi)批(pi)標志性技術產(chan)品(pin)，加速新(xin)(xin)(xin)技術、新(xin)(xin)(xin)產(chan)品(pin)落(luo)地應(ying)用。

      其中在原子級制造揭榜掛帥任務榜單中涉及原子級超光滑金剛石表面制造、超硬金剛石團簇離子束原子級拋光裝(zhuang)備、大徑厚比金剛石光(guang)學窗口等內容。

原子級制造揭榜掛帥任務榜單（金剛石相關部分）

      二、重點產品

      （一）多場輔助化學機械原子級拋光裝備

      揭(jie)榜任(ren)務：面(mian)向(xiang)半導體襯(chen)底原子尺度(du)拋(pao)得(de)光(guang)、納米尺度(du)拋(pao)得(de)平、微米尺度(du)拋(pao)得(de)快的高質高效加工需求，研究電、光(guang)、聲、等(deng)離子體等(deng)多場(chang)輔助(zhu)化學機(ji)械原子級(ji)去(qu)除(chu)工藝，突破多場(chang)輔助(zhu)協同(tong)調控、超低壓力(li)分區加壓、測量反饋(kui)智能控制等(deng)關鍵技術，開發多場(chang)輔助(zhu)化學機(ji)械拋(pao)光(guang)裝備，實現原子級(ji)精度(du)拋(pao)光(guang)，滿足半導體襯(chen)底應用需求。

      預(yu)期(qi)目標：到2026年，研制模(mo)塊化(hua)的多場輔助化(hua)學機械原子級(ji)拋光裝備(bei)，可以集(ji)成(cheng)電(dian)、光、聲、等離子體等多場，拋光壓力調控精(jing)度0.1psi，拋光壓力分(fen)區數量6個(ge)，利用(yong)該設備(bei)對單晶(jing)硅襯底進行拋光，表面(mian)起伏(fu)小于10個(ge)原子層(ceng)，滿足先進制程需求(qiu)。

      （二）高效團簇離子束原子級拋光裝備的研發及在大徑厚比金剛石光學窗口的加工應用

      揭榜任務(wu)：面(mian)向高功率(lv)激光(guang)(guang)系統、中長波紅(hong)外探測(ce)器等對原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)級表面(mian)精度的金剛(gang)(gang)石(shi)窗(chuang)口(kou)需求，突破氣(qi)體原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)團簇束流中和關鍵技術，建立原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)級超(chao)光(guang)(guang)滑(hua)金剛(gang)(gang)石(shi)表面(mian)制(zhi)造方法，研制(zhi)超(chao)硬金剛(gang)(gang)石(shi)團簇離子(zi)(zi)束原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)級拋(pao)光(guang)(guang)裝(zhuang)備，實現大徑厚比金剛(gang)(gang)石(shi)光(guang)(guang)學窗(chuang)口(kou)的原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)級制(zhi)造，并應用(yong)驗證。

      預期目標：到2026年(nian)，高(gao)性能(neng)、低(di)成(cheng)本的束(shu)(shu)流(liu)中和(he)器自主(zhu)可(ke)控(kong)，具有較高(gao)的中和(he)效(xiao)率(lv)，對(dui)Ar100團(tuan)簇中和(he)效(xiao)率(lv)>50%，研制(zhi)金剛石(shi)材料團(tuan)簇離(li)子(zi)(zi)(zi)束(shu)(shu)原子(zi)(zi)(zi)級拋光(guang)裝(zhuang)備，建立金剛石(shi)光(guang)學(xue)(xue)窗(chuang)口納米級精(jing)度(du)及(ji)原子(zi)(zi)(zi)級表(biao)(biao)面(mian)質量(liang)制(zhi)造工藝，加工金剛石(shi)光(guang)學(xue)(xue)窗(chuang)口直徑(jing)≥75mm、徑(jing)厚(hou)比≥100、表(biao)(biao)面(mian)面(mian)形精(jing)度(du)PV≤λ/4、表(biao)(biao)面(mian)粗糙度(du)Ra≤1nm，設備支持Ar/SF6等多種氣體團(tuan)簇離(li)子(zi)(zi)(zi)束(shu)(shu)、束(shu)(shu)流(liu)強度(du)≥100μA、團(tuan)簇束(shu)(shu)斑直徑(jing)0.5-10mm可(ke)調、團(tuan)簇離(li)子(zi)(zi)(zi)能(neng)量(liang)≥60keV，能(neng)夠支撐(cheng)3英寸級金剛石(shi)光(guang)學(xue)(xue)窗(chuang)口原子(zi)(zi)(zi)級可(ke)控(kong)制(zhi)造。