隨著半導體產業的迅猛發展，金剛石因其優(you)異的(de)導熱性能、超寬的(de)禁(jin)帶結構(gou)以(yi)及較高的(de)載流子(zi)遷(qian)移率，逐(zhu)漸成為業(ye)界備受矚目的(de)半導體材(cai)料(liao)之一。然而(er)，金剛石的(de)加工難度一直(zhi)是制約其廣泛應用的(de)關(guan)鍵因素(su)。

       近日(ri)，大族(zu)半導(dao)體在金(jin)剛(gang)(gang)石(shi)切(qie)片(pian)(pian)領域取(qu)得(de)(de)了重(zhong)要(yao)的(de)技術(shu)突破，推出(chu)了QCBD激光(guang)切(qie)片(pian)(pian)技術(shu)及其相關設備，實現(xian)了金(jin)剛(gang)(gang)石(shi)高質量低(di)損(sun)傷高效率激光(guang)切(qie)片(pian)(pian)。這一成果(guo)標志著激光(guang)切(qie)片(pian)(pian)技術(shu)在金(jin)剛(gang)(gang)石(shi)材料加(jia)工中(zhong)取(qu)得(de)(de)重(zhong)要(yao)進展，填補了國內在該領域的(de)技術(shu)空白。

       通過對激(ji)光能量的精(jing)確調控與光束形(xing)態的調制(zhi)，大族半(ban)導體(ti)克服了(le)金剛(gang)石(shi)(shi)解理面(mian){111}與切片方向{100}之(zhi)間較大角度(du)帶來(lai)的加(jia)(jia)工(gong)難題，實現了(le)晶錠的高精(jing)度(du)、低損(sun)傷剝離(li)。根(gen)據(ju)大族半(ban)導體(ti)QCB研究實驗室研究數據(ju)顯示，使用該技(ji)術，剝離(li)后(hou)粗糙度(du)Ra低至(zhi)3μm以內，激(ji)光損(sun)傷層可大幅度(du)降(jiang)低至(zhi)20μm。這項技(ji)術突破將大幅降(jiang)低金剛(gang)石(shi)(shi)的加(jia)(jia)工(gong)成本(ben)，推動其在(zai)電子、光學等高端(duan)領域的廣泛應用。

       大族半導體研發的金剛石激光切片技(ji)(ji)術，憑借卓(zhuo)越的(de)加(jia)工(gong)效(xiao)能，已(yi)成功攻克半導(dao)體(ti)材(cai)料加(jia)工(gong)技(ji)(ji)術領(ling)域的(de)眾(zhong)多棘手難題。這一技(ji)(ji)術的(de)突破，不僅顯(xian)著加(jia)速(su)了(le)生產流程(cheng)，將生產效(xiao)率推向新(xin)高，而且精細入微的(de)工(gong)藝確(que)保了(le)產品質量的(de)飛躍式提升，同(tong)時(shi)，通過優化生產流程(cheng)，有效(xiao)降低了(le)制造成本，展現出了(le)極為廣闊的(de)市場應用前景，預(yu)示著其(qi)在未(wei)來的(de)高科技(ji)(ji)制造領(ling)域中(zhong)必將占據舉足輕重的(de)地位，引領(ling)半導(dao)體(ti)材(cai)料加(jia)工(gong)技(ji)(ji)術邁向一個(ge)全(quan)新(xin)的(de)發展階段。