機(ji)構稱(cheng)，SiC滲透率提升且短(duan)期內(nei)器件價(jia)格降幅有限的(de)背(bei)景下，2022-2024年SiC器件市場規模(mo)有望迎來增速最(zui)快的(de)三年周期。

       需求高漲之下，近期，碳化硅（SiC）行業的頭部企業如Wolfspeed、安森美均披露了最新擴產計劃。

       Wolfspeed宣布將建造世界上(shang)最大的碳(tan)化硅材(cai)料(liao)工廠(chang)，旨在將公司在北卡羅來(lai)納州的碳(tan)化硅材(cai)料(liao)的產(chan)(chan)能(neng)提高10倍(bei)以(yi)上(shang)；安森(sen)美計劃在今年將碳(tan)化硅襯底產(chan)(chan)能(neng)擴充4倍(bei)，其生產(chan)(chan)碳(tan)化硅器件的新(xin)廠(chang)于8月落(luo)成(cheng)，該廠(chang)將使安森(sen)美到2022年底的SiC晶(jing)圓產(chan)(chan)能(neng)同比增加5倍(bei)。

       這兩家公司均表(biao)示碳化硅下游需(xu)求(qiu)旺盛，預計產能供(gong)不(bu)應求(qiu)局(ju)面將持(chi)續(xu)，碳化硅業(ye)務有望持(chi)續(xu)為公司貢獻營收。

       大廠動向往往被視(shi)作行(xing)業風向標，這股碳化(hua)硅之風吹向了哪里呢？

       電動車、光儲成有力推手

       首先(xian)是電動汽車(che)。Wolfspeed明確表示，新的材料(liao)工廠將生產為(wei)電動汽車(che)等提供動力的芯片原材料(liao)；安森美(mei)的汽車(che)業務現已(yi)成為(wei)其(qi)體量(liang)最大、增速最快的業務，其(qi)碳化(hua)硅器件新廠也旨在滿足電動車(che)領域的碳化(hua)硅需求。

       國內，理想(xiang)汽車功(gong)率半導體研發及生產基地、長城(cheng)汽車旗下蜂巢(chao)易創第三代半導體模組封(feng)測(ce)制造基地等項目均處(chu)于計劃(hua)建設、即將建成(cheng)或已運(yun)行(xing)等階段。

       根(gen)據EVTank數(shu)據顯示，新能源汽(qi)車2025年(nian)銷量將達(da)到1800萬輛，19-25年(nian)CAGR為42%。隨著新能源車滲(shen)透率不斷升高(gao)，以及(ji)整車架(jia)構朝800V高(gao)壓方向邁進，碳化(hua)硅(gui)器(qi)件(jian)在主逆變器(qi)、DC/DC轉(zhuan)換系(xi)統、車載充電系(xi)統及(ji)充電樁等領域有望(wang)迎(ying)來規模(mo)化(hua)發展。

       開(kai)源證券表(biao)示，車規級市場(chang)是(shi)碳化(hua)(hua)硅(gui)最主(zhu)(zhu)要的應用場(chang)景。國(guo)產碳化(hua)(hua)硅(gui)模(mo)塊(kuai)上(shang)車進(jin)展順利(li)，包括BYD、吉利(li)、埃(ai)安等量(liang)產（或定點）車型均已搭載由國(guo)產碳化(hua)(hua)硅(gui)模(mo)塊(kuai)供(gong)應商提供(gong)的主(zhu)(zhu)驅逆變器模(mo)塊(kuai)，國(guo)內(nei)SiC產業鏈參與者有望充分受益。

       電動車之外，國內政策正引導碳化硅向光伏、儲能領域滲透。

       8月(yue)25日(ri)，工信部發(fa)(fa)(fa)布《關(guan)于推動(dong)能(neng)源(yuan)(yuan)電(dian)子(zi)產業發(fa)(fa)(fa)展(zhan)的指(zhi)導(dao)(dao)意見(jian)（征(zheng)求(qiu)意見(jian)稿）》，提出“面(mian)向(xiang)光(guang)伏、風(feng)電(dian)、儲能(neng)系統、半導(dao)(dao)體(ti)照明等，發(fa)(fa)(fa)展(zhan)新能(neng)源(yuan)(yuan)用耐高溫、耐高壓、低損耗(hao)、高可靠IGBT器件及模塊，SiC、GaN等先進(jin)寬禁帶半導(dao)(dao)體(ti)材(cai)料與先進(jin)拓撲(pu)結(jie)構和封裝(zhuang)技術，新型電(dian)力(li)電(dian)子(zi)器件及關(guan)鍵技術”。

       與此(ci)同(tong)時(shi)，該領域的碳化(hua)硅應用也逐步(bu)與商業(ye)化(hua)接軌，國內(nei)產(chan)業(ye)鏈公司(si)新成果頻現。

       8月12日，晶盛(sheng)機電首(shou)顆8英寸N型(xing)SiC晶體出爐；新潔能(neng)基于(yu)650V和1200V平(ping)臺的(de)多款應用于(yu)光(guang)伏(fu)逆變(bian)行業的(de)IGBT模塊產品(pin)；斯達半導可供(gong)應搭載(zai)自研(yan)芯片的(de)650V/1200VIGBT單(dan)管及模塊，已成為逆變(bian)器、儲能(neng)變(bian)流器頭(tou)部供(gong)應商；湖(hu)南三安的(de)碳化(hua)硅二極(ji)管系列已經深入(ru)光(guang)伏(fu)、服務器電源和充(chong)電樁等領(ling)域的(de)頭(tou)部企(qi)業供(gong)應鏈。

       中金公司表示(shi)，在新能源車(che)、光伏(fu)發電(dian)等重(zhong)點(dian)行業(ye)終端出貨量(liang)快(kuai)速成長，SiC滲(shen)透率(lv)提升且短(duan)期(qi)內器(qi)件(jian)價格(ge)降幅(fu)有限的(de)(de)背景下，2022-2024年SiC器(qi)件(jian)市場規(gui)模有望迎來增速最快(kuai)的(de)(de)三年周期(qi)。

       本土廠商已在關鍵環節有所突破

       值得注意的(de)是(shi)，襯(chen)底(di)一(yi)直是(shi)SiC行業產(chan)能的(de)一(yi)大關鍵瓶頸，簽長約、并購成為產(chan)業鏈廠商(shang)攫取襯(chen)底(di)供應保障(zhang)的(de)兩大手(shou)段。

       例如，COHERENT（前身為II-VI）、羅(luo)姆、意法半導體等(deng)已依靠并(bing)購(gou)掌(zhang)握碳(tan)化硅襯底資源(yuan)，而(er)Wolfspeed大部(bu)分產(chan)能已被(bei)幾大IDM廠(chang)商通過長協(xie)預訂，且英飛凌、東莞天域半導體已與COHERENT簽下襯底采(cai)購(gou)長約。

       從競(jing)爭格(ge)局上看，海(hai)外(wai)頭部廠(chang)商占據該(gai)環節主要份額(e)，國內(nei)企業也在(zai)積(ji)極研(yan)發和(he)探索并(bing)(bing)有(you)所(suo)突破(po)。其中，天岳先(xian)進在(zai)半絕緣SiC襯底(di)的市場占有(you)率連續三年保持全球(qiu)前三；天科合達在(zai)國內(nei)率先(xian)成功研(yan)制6英(ying)寸(cun)SiC襯底(di)，并(bing)(bing)已實現2-6英(ying)寸(cun)SiC晶(jing)片的規模化生產和(he)器件銷售。