以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼等為代表的超寬禁帶半導體材(cai)料（禁帶寬(kuan)度＞4.5 e V）的(de)研究(jiu)和(he)應用(yong)，近年來(lai)不斷獲(huo)得(de)技術(shu)的(de)突破。這類半導(dao)體材(cai)料具(ju)有更高的(de)禁帶寬(kuan)度、熱導(dao)率(lv)以及材(cai)料穩定性(xing)，在新(xin)一(yi)代深紫外光電器件、高壓大功(gong)率(lv)電子器件等領(ling)域具(ju)有顯著的(de)優勢和(he)巨大的(de)發(fa)展潛力(li)，目(mu)前正成為國際(ji)競爭的(de)新(xin)熱點。

       金(jin)剛石(shi)(shi)作(zuo)為(wei)超寬帶隙半導體(ti)(ti)材料(liao)(liao)的(de)一員（禁帶寬度5.5 e V），具有優異(yi)的(de)物理(li)和(he)化學性質，如高(gao)載流(liu)子遷移率(lv)、高(gao)熱(re)導率(lv)、高(gao)擊穿電場、高(gao)載流(liu)子飽和(he)速率(lv)和(he)低介電常數等，以下(xia)是相關參數對比。基于這(zhe)些優異(yi)的(de)性能參數，金(jin)剛石(shi)(shi)被(bei)認為(wei)是制備下(xia)一代高(gao)功率(lv)、高(gao)頻、高(gao)溫(wen)及低功率(lv)損耗電子器件最(zui)有希望的(de)材料(liao)(liao)，被(bei)業界譽為(wei)“終極(ji)半導體(ti)(ti)”。國外(wai)研究金(jin)剛石(shi)(shi)半導體(ti)(ti)材料(liao)(liao)和(he)器件的(de)地區主(zhu)要(yao)是日本、美國和(he)歐洲，以下(xia)是具體(ti)(ti)介紹。

金剛石與其他半(ban)導體特(te)性對(dui)比

       金剛(gang)石半導體(ti)材料(liao)發展(zhan)現(xian)狀

       金剛石晶體制備

       金剛石應用于半導體產業，需要較大(da)尺寸(cun)的單晶材料，金剛石晶體的制(zhi)備(bei)方法(fa)也(ye)在不斷發(fa)展，以各種CVD（化學氣相沉積）技(ji)術為主(zhu)。進(jin)入21世(shi)紀(ji)，重復生(sheng)長(chang)法(fa)、三維生(sheng)長(chang)法(fa)及馬賽(sai)克法(fa)的出現，促(cu)進(jin)了大(da)尺寸(cun)金剛石制(zhi)備(bei)的發(fa)展，也(ye)再次掀(xian)起研究制(zhi)備(bei)金剛石的熱(re)潮。

       金(jin)(jin)剛(gang)石材(cai)料(liao)(liao)制備(bei)技(ji)術(shu)的提升(sheng)是金(jin)(jin)剛(gang)石電(dian)子器(qi)件性(xing)能提升(sheng)的推動力(li)。國(guo)際上，英國(guo)元(yuan)素六公司(si)、日(ri)(ri)本產業技(ji)術(shu)綜合(he)研(yan)究(jiu)所（AIST）、日(ri)(ri)本物質材(cai)料(liao)(liao)研(yan)究(jiu)所（NIMS）、美國(guo)地球物理實驗室(shi)卡耐(nai)基研(yan)究(jiu)院、美國(guo)阿貢國(guo)家實驗室(shi)等一直致力(li)于金(jin)(jin)剛(gang)石材(cai)料(liao)(liao)技(ji)術(shu)的提升(sheng)。

       英(ying)(ying)國元素(su)六公(gong)司是高質(zhi)量（電子(zi)級）CVD金剛(gang)(gang)石單晶(jing)(jing)(jing)合成(cheng)的佼(jiao)佼(jiao)者，2004年就生長出5 mm×5 mm的大尺寸電子(zi)級單晶(jing)(jing)(jing)，雜質(zhi)總(zong)含量可以控(kong)制在5ppb（ppb為十億分之(zhi)一），位錯密度在103～104個/cm2之(zhi)間，是全(quan)球金剛(gang)(gang)石晶(jing)(jing)(jing)體管(guan)、金剛(gang)(gang)石量子(zi)通信技(ji)術和金剛(gang)(gang)石高能粒子(zi)探(tan)測器研制所需高質(zhi)量單晶(jing)(jing)(jing)的主要提供者。多(duo)晶(jing)(jing)(jing)方面，目(mu)前已實現了電子(zi)級4英(ying)(ying)寸多(duo)晶(jing)(jing)(jing)金剛(gang)(gang)石商業(ye)化生產。

       2012年，美國卡(ka)耐基(ji)研究院宣稱在制造(zao)克拉(la)級無色CVD金(jin)(jin)剛石(shi)(shi)方(fang)面取得(de)重要進展(zhan)，制造(zao)出無色單晶金(jin)(jin)剛石(shi)(shi)，加工后重達2.3克拉(la)，生(sheng)(sheng)(sheng)長(chang)(chang)速(su)率達50 μm/h。而(er)且已(yi)實現了方(fang)形金(jin)(jin)剛石(shi)(shi)在6個面上同時生(sheng)(sheng)(sheng)長(chang)(chang)，使得(de)大單晶金(jin)(jin)剛石(shi)(shi)生(sheng)(sheng)(sheng)長(chang)(chang)成為(wei)可(ke)能。

       日本(ben)AIST于(yu)2010年(nian)使(shi)用MPCVD制備出尺寸達12 mm的單晶金剛(gang)石和25 mm的馬(ma)賽克晶片(pian)。2013年(nian)AIST繼續擴大(da)晶體(ti)尺寸，獲得了38.1 mm（1.5英寸）金剛(gang)石片(pian)，2014年(nian)借助(zhu)于(yu)同質(zhi)外(wai)延技術和馬(ma)賽克生(sheng)長技術成功(gong)獲得50.8 mm（2英寸）單晶金剛(gang)石，但其雜質(zhi)和位錯密度高。

       2017年，德國奧格斯堡(bao)大學通(tong)過異質外(wai)延(yan)技術實現了直徑92 mm、155克拉的大尺寸(cun)單晶(jing)金剛石材料，為大尺寸(cun)單晶(jing)金剛石的研(yan)制提供新的技術途(tu)徑，但由(you)于采用異質外(wai)延(yan)導致(zhi)位錯密(mi)度較高(gao)。

       摻雜技術

       實現金剛石半導體(ti)(ti)(ti)器(qi)件產品化的(de)(de)(de)最大(da)問題是摻雜困難(nan)，尤(you)其是n型(xing)摻雜，p型(xing)摻雜相(xiang)對容易，目前(qian)，金剛石摻硼的(de)(de)(de)p型(xing)材料已基本成(cheng)熟并實用化。但這(zhe)種方法需(xu)(xu)要(yao)(yao)高溫（1450 ℃）加熱，會(hui)導致(zhi)多重(zhong)晶(jing)體(ti)(ti)(ti)堆(dui)積，所(suo)制造的(de)(de)(de)半導體(ti)(ti)(ti)器(qi)件性能不如(ru)單晶(jing)體(ti)(ti)(ti)。如(ru)果采用在晶(jing)體(ti)(ti)(ti)生產過程(cheng)中注(zhu)入硼原子(zi)的(de)(de)(de)方法來實現金剛石單晶(jing)體(ti)(ti)(ti)的(de)(de)(de)摻雜，不僅(jin)需(xu)(xu)要(yao)(yao)較(jiao)高的(de)(de)(de)注(zhu)入功率(lv)，還會(hui)降(jiang)低金剛石晶(jing)體(ti)(ti)(ti)的(de)(de)(de)性能。

       2016年，美國在金(jin)(jin)剛石(shi)摻(chan)(chan)雜(za)技術上獲得突破，研發(fa)出一(yi)(yi)種低溫(wen)(wen)摻(chan)(chan)雜(za)新工(gong)藝，可(ke)在較低溫(wen)(wen)度實現硼原子在金(jin)(jin)剛石(shi)單晶(jing)體中的(de)(de)摻(chan)(chan)雜(za)，具有(you)簡單、廉價、易操(cao)作等優點。新工(gong)藝的(de)(de)核心是(shi)增加了“硅”，即在金(jin)(jin)剛石(shi)單晶(jing)體上附著(zhu)一(yi)(yi)層帶有(you)硼摻(chan)(chan)雜(za)的(de)(de)硅，然后加熱到(dao)800 ℃，硼原子就(jiu)可(ke)以從硅中轉移到(dao)金(jin)(jin)剛石(shi)中。通(tong)過將(jiang)硅附著(zhu)到(dao)金(jin)(jin)剛石(shi)晶(jing)體表面的(de)(de)特(te)(te)殊位置(zhi)，能產生帶有(you)特(te)(te)定性(xing)能的(de)(de)金(jin)(jin)剛石(shi)，從而實現了選擇性(xing)摻(chan)(chan)雜(za)，在器(qi)件制造時可(ke)實現更高的(de)(de)控制力，將(jiang)金(jin)(jin)剛石(shi)半(ban)導體器(qi)件的(de)(de)發(fa)展再(zai)推(tui)進一(yi)(yi)步。由于該方法實現的(de)(de)是(shi)p型摻(chan)(chan)雜(za)，仍沒有(you)解(jie)決n型摻(chan)(chan)雜(za)問題，下一(yi)(yi)步將(jiang)繼續攻克n型摻(chan)(chan)雜(za)這一(yi)(yi)難題，以實現晶(jing)體管等器(qi)件。

       金剛石半導體(ti)器(qi)件研究(jiu)進展

       金剛石(shi)(shi)可以(yi)作(zuo)為(wei)有(you)源(yuan)器件(jian)(jian)材料(liao)(liao)制(zhi)作(zuo)場效應(ying)(ying)管(guan)、功率(lv)(lv)開關等器件(jian)(jian)，也能作(zuo)為(wei)無源(yuan)器件(jian)(jian)材料(liao)(liao)制(zhi)成肖特(te)基二極管(guan)。由于金剛石(shi)(shi)具(ju)(ju)有(you)很高(gao)(gao)的(de)熱導率(lv)(lv)和極高(gao)(gao)的(de)電荷遷移率(lv)(lv)，其制(zhi)成的(de)半導體器件(jian)(jian)能夠應(ying)(ying)用(yong)于高(gao)(gao)頻、高(gao)(gao)功率(lv)(lv)、高(gao)(gao)電壓(ya)等惡劣環境中，具(ju)(ju)有(you)巨大的(de)應(ying)(ying)用(yong)前景(jing)。國外在金剛石(shi)(shi)功率(lv)(lv)電子器件(jian)(jian)制(zhi)作(zuo)方面也取(qu)得了一些研究進展，在關鍵(jian)性能指標上實現(xian)了一些提升。

       日本

       日本自2002年以來(lai)積極資助(zhu)了(le)數百萬美元進入金剛石半導(dao)體(ti)器(qi)件研(yan)究領(ling)域(yu)，取得(de)了(le)一些國際(ji)領(ling)先的進展(zhan)。

       2005年，日(ri)本NTT公司研制(zhi)的(de)金(jin)剛石場效(xiao)(xiao)應晶(jing)體管(guan)（FET）器件在(zai)1GHz下，線性增益(yi)為10.94 d B，功(gong)率(lv)(lv)附加效(xiao)(xiao)率(lv)(lv)為31.8%，輸出(chu)功(gong)率(lv)(lv)密(mi)度(du)達到(dao)(dao)2.1 W/mm，該(gai)功(gong)率(lv)(lv)密(mi)度(du)值(zhi)是目(mu)前(qian)可見報(bao)道(dao)的(de)最高值(zhi)。據新的(de)報(bao)道(dao)，NTT已實現1 GHz下1 mm大(da)柵寬器件的(de)研制(zhi)，器件輸出(chu)功(gong)率(lv)(lv)達到(dao)(dao)1.26 W，增益(yi)達到(dao)(dao)17 d B，功(gong)率(lv)(lv)附加效(xiao)(xiao)率(lv)(lv)達到(dao)(dao)56%。NTT公司下一(yi)步的(de)目(mu)標(biao)是開發功(gong)率(lv)(lv)密(mi)度(du)大(da)于30 W/mm、工(gong)作(zuo)頻率(lv)(lv)達到(dao)(dao)200 GHz的(de)金(jin)剛石MESFET（金(jin)屬(shu)半(ban)導體場效(xiao)(xiao)應晶(jing)體管(guan)），能夠(gou)在(zai)高溫和惡(e)劣環(huan)境(jing)工(gong)作(zuo)，真(zhen)正實現由(you)固(gu)態電(dian)子器件取代大(da)功(gong)率(lv)(lv)電(dian)子真(zhen)空管(guan)。

       2014年，日(ri)本發表在(zai)IEEE上的(de)研究(jiu)成果稱，采用NO2吸附、Al2O3鈍化的(de)方法解決器件熱穩定問(wen)題，采用100 nm柵(zha)長的(de)氫端金剛石制作的(de)射頻功率FET，電流Ids=1.35 A/mm，ft=35 GHz，fmax=70 GHz，柵(zha)長和柵(zha)寬分別為0.2 μm和390 μm。1 GHz下(xia)RF輸出功率密度為2W/mm，能在(zai)200 ℃實(shi)現穩定工作。

       2017年，日(ri)本研究人員在（001）金(jin)剛(gang)(gang)石(shi)襯(chen)底上(shang)同質外(wai)延500nm金(jin)剛(gang)(gang)石(shi)薄膜，制成(cheng)2 k V擊穿電壓的(de)常(chang)關型C-H金(jin)剛(gang)(gang)石(shi)MOSFET（金(jin)屬氧化物半(ban)導體場效應晶體管(guan)），柵閾值電壓Vth為2.5～4 V。

       美國

       美國初創公(gong)司AKHAN半導體專(zhuan)門(men)研究(jiu)實驗(yan)室生(sheng)長的(de)(de)電子級金剛石(shi)制備和(he)應(ying)用，據報道，AKHAN已獲(huo)美國能源部阿貢國家實驗(yan)室的(de)(de)金剛石(shi)半導體工(gong)藝授權，再結合自身(shen)在金剛石(shi)領域的(de)(de)技術突(tu)破(po)，有望成為(wei)全球首個真正實現金剛石(shi)半導體器件產品化的(de)(de)公(gong)司。

       Akhan半導體公司提供了“Miraj金(jin)(jin)剛石(shi)平臺”作(zuo)為(wei)解決方案，可實現(xian)P型和(he)N型器(qi)件(jian)，使得制造出金(jin)(jin)剛石(shi)互補金(jin)(jin)屬氧化物半導體（CMOS）成為(wei)可能(neng)。該工(gong)藝平臺的技(ji)術核(he)心是，通過在(zai)(zai)P型器(qi)件(jian)中摻(chan)雜磷(P)、在(zai)(zai)N型器(qi)件(jian)中摻(chan)雜了鋇(Ba)與鋰(Li)，帶來兩類器(qi)件(jian)結構性(xing)能(neng)相當(dang)的可調(diao)電子器(qi)件(jian)，并因(yin)此發展出金(jin)(jin)剛石(shi)CMOS。此外，AKHAN生產的用(yong)于顯示器(qi)和(he)照相機鏡片(pian)的金(jin)(jin)剛石(shi)玻璃強度(du)、硬(ying)度(du)分(fen)別(bie)是大猩猩玻璃的6倍和(he)10倍。

       AKHAN首款金剛石CMOS工藝制造出的器件是金剛石PIN二極管，厚度只有500 nm，比硅薄10倍，而性能比硅高100萬倍。且該PIN二極管中沒有熱點，沒有寄生損失，在熱性能上也遠好于硅PIN二極管。AKHAN半導體公司擁有金剛石技術的多項專利，覆蓋幾乎所有半導體元件的基本材料，知識產權可以從二極管、晶體管和功率逆變器到功能齊全的金剛石芯片（如集成電路）。AKHAN半導體公司還制作出了工作頻率100 GHz的金剛石電子器件，特征尺寸是100 nm。金剛石具有超低阻值，減少散熱需求，還可淀積在硅、玻璃、藍寶石和金屬襯底上，有望重新激發微處理器運算速度的演進。

       其他研究

       由法(fa)國(guo)、英國(guo)、日本研究人員組成的國(guo)際研究團隊(dui)2017年在(zai)金剛(gang)(gang)石MOSFET方面(mian)取得了新進(jin)展，開(kai)發(fa)出(chu)在(zai)硼摻雜金剛(gang)(gang)石MOSFET中引(yin)入深層耗盡區的新方法(fa)，構(gou)建了金剛(gang)(gang)石MOSFET的全(quan)新概念。

       在(zai)構(gou)建MOSFET時(shi)，研(yan)究(jiu)人員(yuan)首先在(zai)380 ℃溫度(du)下在(zai)氧(yang)(yang)終止金(jin)(jin)剛石(shi)外延(yan)層(ceng)的(de)(de)上方(fang)沉積一(yi)層(ceng)氧(yang)(yang)化鋁（Al2O3），然后對金(jin)(jin)剛石(shi)層(ceng)實(shi)施硼摻雜，形成穩定(ding)的(de)(de)耗(hao)盡區(qu)域(yu)。塊(kuai)體(ti)金(jin)(jin)剛石(shi)外延(yan)層(ceng)在(zai)功能上相當于一(yi)個厚(hou)的(de)(de)空穴載流子溝道，通過(guo)在(zai)柵極(ji)施加電(dian)壓，可對深層(ceng)耗(hao)盡區(qu)域(yu)內的(de)(de)空穴載流子產生排斥和耗(hao)盡作用，從而控制晶體(ti)管的(de)(de)開啟和關閉。這(zhe)一(yi)全新晶體(ti)管運行(xing)模式的(de)(de)提(ti)出，使(shi)金(jin)(jin)剛石(shi)MOSFET的(de)(de)結構(gou)更為簡單，降(jiang)低了制造難度(du)。實(shi)驗結果表明，新方(fang)法可將寬(kuan)禁帶(dai)半導體(ti)的(de)(de)載流子遷移率提(ti)高一(yi)個數量級。隨(sui)后，研(yan)究(jiu)人員(yuan)將對深層(ceng)耗(hao)盡氧(yang)(yang)終止金(jin)(jin)剛石(shi)MOSFET進行(xing)產品(pin)試生產。

       其(qi)實(shi)國內有十(shi)幾(ji)個團隊一(yi)直在堅持從事金(jin)剛石(shi)半導(dao)體材料(liao)和器件(jian)的(de)研究，主要是中科(ke)(ke)(ke)院半導(dao)體所、中科(ke)(ke)(ke)院金(jin)屬所、西安交通大(da)學(xue)(xue)(xue)(xue)、西安電子(zi)科(ke)(ke)(ke)技(ji)大(da)學(xue)(xue)(xue)(xue)、吉林大(da)學(xue)(xue)(xue)(xue)、鄭州大(da)學(xue)(xue)(xue)(xue)、山(shan)東大(da)學(xue)(xue)(xue)(xue)、浙江(jiang)工業大(da)學(xue)(xue)(xue)(xue)、上海大(da)學(xue)(xue)(xue)(xue)、武漢工程大(da)學(xue)(xue)(xue)(xue)等，并在日盲紫外探測器等方面取得進展(zhan)。

       發展展望

       隨著金剛石(shi)(shi)半導(dao)體(ti)技(ji)術(shu)(shu)(shu)的(de)(de)(de)不斷發(fa)展(zhan)，未來必(bi)將突破n型(xing)摻雜技(ji)術(shu)(shu)(shu)、大尺寸高(gao)(gao)(gao)質量單晶制備及(ji)高(gao)(gao)(gao)平整(zheng)度(du)、高(gao)(gao)(gao)均勻性材料外延技(ji)術(shu)(shu)(shu)等瓶頸問題，實現更(geng)(geng)(geng)高(gao)(gao)(gao)功率性能(neng)的(de)(de)(de)金剛石(shi)(shi)電(dian)(dian)子(zi)(zi)器(qi)件(jian)。金剛石(shi)(shi)半導(dao)體(ti)器(qi)件(jian)比(bi)硅(gui)芯片更(geng)(geng)(geng)薄，基于(yu)金剛石(shi)(shi)的(de)(de)(de)電(dian)(dian)子(zi)(zi)產(chan)品很可能(neng)成為(wei)高(gao)(gao)(gao)能(neng)效(xiao)電(dian)(dian)子(zi)(zi)產(chan)品的(de)(de)(de)行業標(biao)準，將對一(yi)些高(gao)(gao)(gao)新行業產(chan)生(sheng)顯著影響，包括更(geng)(geng)(geng)快的(de)(de)(de)超級計算機、先(xian)進的(de)(de)(de)雷達和電(dian)(dian)信系統(tong)、超高(gao)(gao)(gao)效(xiao)混合動力(li)汽車、極(ji)端環境中的(de)(de)(de)電(dian)(dian)子(zi)(zi)設(she)備以及(ji)下一(yi)代航(hang)空航(hang)天電(dian)(dian)子(zi)(zi)設(she)備等。

       主要(yao)內(nei)容(rong)來自調(diao)研整理，僅(jin)供參(can)考(kao)。

       金(jin)剛石(shi)以(yi)其優異的(de)(de)性(xing)能在高(gao)端制(zhi)造(zao)業(ye)如精密工(gong)具、耐磨零件(jian)、光學元件(jian)涂層、電子產品配(pei)件(jian)加(jia)工(gong)等領域(yu)有(you)廣泛應用(yong)。此外單晶金(jin)剛石(shi)不(bu)光是(shi)(shi)“工(gong)業(ye)牙齒”，還是(shi)(shi)“終極(ji)半(ban)導(dao)體”， 以(yi)金(jin)剛石(shi)為代(dai)表(biao)的(de)(de)第三(san)代(dai)寬禁帶半(ban)導(dao)體及器件(jian)是(shi)(shi)未來集成(cheng)電路，信息時代(dai)發展的(de)(de)基礎，在生物(wu)檢(jian)測和醫療、平板顯示、環保工(gong)程、功能器件(jian)等多個高(gao)新技術領域(yu)都有(you)巨大的(de)(de)應用(yong)潛力。

       基于此，第四屆國(guo)際碳材料大會針對金剛石(shi)模塊，除重點關注金剛石(shi)的(de)合成(cheng)技術(shu)、摻雜技術(shu)，制品生產外(wai)，還會聚焦在高(gao)端(duan)制造業(ye)及前沿高(gao)新(xin)(xin)技術(shu)領域的(de)研(yan)究探(tan)索。誠邀業(ye)內知名專家學者(zhe)和企業(ye)代表，共同探(tan)討新(xin)(xin)技術(shu)、新(xin)(xin)突破和新(xin)(xin)發(fa)展，開啟超硬(ying)材料邁向高(gao)端(duan)領域應用的(de)新(xin)(xin)時代。

主題論(lun)壇部分(fen)參考話題

       金剛石和碳基薄膜材料在高端制造加工應用分論壇

       金剛石行業宏觀現狀

       1.高(gao)溫高(gao)壓合成(cheng)超硬材料現狀(zhuang)解(jie)讀(du)

       2.中國超(chao)硬材料行業發展(zhan)現狀(zhuang)及趨勢解讀

       3.人造(zao)金(jin)剛(gang)石珠寶市(shi)場(chang)發展解(jie)讀

       ……

       金剛石（薄膜）功能(neng)材料合成新(xin)(xin)工藝(yi)、新(xin)(xin)思路

       1.高(gao)溫高(gao)壓合(he)成超硬材(cai)料現狀(zhuang)解(jie)讀

       2.大(da)腔(qiang)體靜(jing)高壓(ya)技術的發展與相關問題研究

       3.大單(dan)晶(jing)金剛石合成設(she)備及新工藝分(fen)享(xiang)

       4.CVD法合(he)成金剛石及(ji)摻雜工藝(yi)介紹

       5.大面積、高(gao)質(zhi)量金剛(gang)石薄膜合成工藝

       6.納米（聚晶）金剛石(shi)制備工藝介紹(shao)

       7.高質量金剛石微粉生產及現狀介紹

       8.金剛(gang)石復合片的異(yi)型加工工藝介紹

       9.CBN工(gong)具的開發(fa)及應用

       ……

        金剛石制品及(ji)下游應(ying)用

       1.天然、單晶(jing)、多晶(jing)、聚晶(jing)金(jin)剛石刀具(ju)的(de)開發及應用

       2.金剛石線鋸的開發及在光伏、寶石(shi)加(jia)工、磁性材料，精(jing)密陶瓷(ci)領域(yu)的應(ying)用(yong)

       3.金剛石磨粒、磨具及研磨液在精密磨削、研磨、拋光中的應用

       4.金剛石刀具在軸承(cheng)、汽車零部件(jian)、復(fu)合材料加(jia)工領域的應(ying)用(yong)

       5.金剛石涂層在(zai)拉(la)絲(si)模、刀具(ju)、紅外窗口中的(de)應用

       6.金剛石(shi)工具(ju)（刀具(ju)、磨具(ju)等）在(zai)3C產品中的應用(yong)

       ……

       納米金剛石功能材料和器件分論壇

       半導體等功能器件

       1.金剛石器件整體研究狀況解讀

       2.金剛石半(ban)導體的新進(jin)展

       3.金(jin)剛石和SiC襯底散(san)熱技術(shu)在GaN的中的應用

       4.金剛石(shi)量子傳感(gan)技術

       5.金剛石襯底研究

       6.納米金剛石的摻雜及其(qi)光電性能研究

       7.透過納米(mi)晶金剛石薄膜提升(sheng)碳納米(mi)管之電子(zi)場發射特(te)性

       8.金剛(gang)石在電(dian)子(zi)封(feng)裝(zhuang)和相(xiang)變儲熱領域的(de)研究進展(zhan)

       9.金剛石紫外探測器(qi)

       10.金剛石射頻生長技術

       11.金剛石氮(dan)空穴色心研究

       12.金剛石磁性傳感器及功率器件

       13.納(na)米金剛石(shi)的改性及其(qi)在催化反應中的應用(yong)研究

       14.金(jin)剛石高導熱散熱涂層的開發及應用

       ……

       環保和生物醫用

       1.高(gao)溫高(gao)壓(ya)合成超硬(ying)材料現狀(zhuang)解讀

       2.納米金剛石在腫瘤(liu)藥物中(zhong)的應用

       3.納米(mi)金剛(gang)石在(zai)基因傳輸和治療中的應(ying)用

       4.納米金(jin)剛(gang)石生(sheng)物探針(zhen)的開發及應用

       5.人(ren)造（類）金剛石手術(shu)刀具(ju)等醫療(liao)器械中(zhong)的(de)開發及應用

       6.類(lei)金(jin)剛石(shi)在生物醫學(xue)（心(xin)血管支(zhi)架、心(xin)臟(zang)瓣膜等）上(shang)的應用(yong)

       ……

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