2018年6月9-12日，由陜西省科學技術協會、西安交通大學和單晶金剛石及其電子器件泛太平洋國際研發與產業聯盟聯合主辦，陜西省真空學會、西安交通大學寬禁帶半導體材料與器件研究中心和單晶金剛石及(ji)其電(dian)子器(qi)(qi)件(jian)泛太平洋國(guo)(guo)際(ji)研發與產業(ye)聯盟共同承(cheng)辦的(de)“第五屆(jie)單晶(jing)金(jin)剛石及(ji)其電(dian)子器(qi)(qi)件(jian)國(guo)(guo)際(ji)研討(tao)(tao)會(hui)(hui)（5thSCDE)”在西安交通大(da)學(xue)(xue)南(nan)洋大(da)酒店(dian)隆重召開。有來自不同國(guo)(guo)家(jia)和地(di)區的(de)90余位(wei)專家(jia)和學(xue)(xue)者參(can)加此次國(guo)(guo)際(ji)研討(tao)(tao)會(hui)(hui)。此次國(guo)(guo)際(ji)研討(tao)(tao)會(hui)(hui)由著名(ming)光電(dian)子學(xue)(xue)專家(jia)侯(hou)洵院(yuan)士擔任大(da)會(hui)(hui)名(ming)譽主席(xi)，陜(shan)西省真空學(xue)(xue)會(hui)(hui)常務副理事長、西安交通大(da)學(xue)(xue)電(dian)信(xin)學(xue)(xue)院(yuan)國(guo)(guo)家(jia)“千人計劃”特聘專家(jia)王宏興教授擔任大(da)會(hui)(hui)執行主席(xi)。

　　超寬禁帶半導體——單晶金剛石集電學、光學、力學、聲學和熱學等優異特性于一體，在高溫、高效、超大功率毫米波電子器件，電力電子器件，生物傳感器，光電探測與成像，粒子探測與成像，航空航天等系統方面有著極其重要的應用前景，被業界譽為“終極半導體”。金剛石電子器件相比其他半導體器件還具有體積小、集成度高和無需制冷的優勢。在節能減排、打造綠色地球方面將發揮其獨特的優勢，將引發新一代半導體技術的革命。

　　大會開幕式由王宏興教授主持。此次大會由國內外多名金剛石專家和學者分別做了40余場精彩紛呈的學術報告，與會代表進行了熱烈的討論。日本金剛石協會理事長及早稻田大學H. Kawarada教授的大會邀請報告重點回顧了2017-2018年單晶金剛石及其電子器件的最新研究動向及其研究團隊一年來的重要研究進展，美國亞利桑那州立大學Robert J. Nemanich教授分析了金剛石在高溫、大電流電力電子器件領域的優勢及國際最新研究進展，指出金剛石良好的導熱和抗擊穿特性使其在研制電力電子器件方面可以突破電子遷移率瓶頸限制。另外，西安交通大學寬禁帶半導體研究中心、中國電科55所和北京科技大學分別報道了各自在金剛石上氮化鎵微波器件研制方面的進展，引起與會專家和學者的高度關注。金剛石微波器件由于自熱瓶頸的限制，使其卓越功效難以發揮，而金剛石具有自然界最好的導熱特性，將氮化鎵與金剛石結合可以進一步挖掘氮化鎵器件的潛力，為高頻、大功率和高導熱氮化物器件的應用開辟新的思路。日本德島大學敖金平博士、吉林大學超硬材料國家重點實驗室劉冰冰教授、鄭州大學劉玉懷教授、中電科技55所孔月嬋研究員和西安交通大學寬禁帶半導體研究中心學者們等四十余位分別介紹了各自團隊在金剛石及其電子器件領域的研究進展。同時，會議期間與會學者報道和探討了石墨烯、氮化硼及金剛石異質結領域的進展。此外，會議期間，國際著名光電子專家、日本德島大學酒井士郎教授與學者探討了其對金剛石未來的發展看法和建議。

　　此次會議為單(dan)晶(jing)金剛(gang)(gang)石(shi)(shi)材料(liao)、電(dian)(dian)子器件(jian)(jian)(jian)、金剛(gang)(gang)石(shi)(shi)單(dan)晶(jing)生長(chang)設(she)備等相關領域(yu)的(de)(de)(de)專家(jia)、學者、技(ji)術人員及(ji)企業家(jia)等提供了學術交(jiao)流平臺(tai)(tai)，加強國(guo)內外同行及(ji)企業家(jia)之間的(de)(de)(de)相互(hu)了解和合作，共(gong)同促進(jin)(jin)國(guo)際單(dan)晶(jing)金剛(gang)(gang)石(shi)(shi)材料(liao)及(ji)其(qi)電(dian)(dian)子器件(jian)(jian)(jian)行業及(ji)相關行業的(de)(de)(de)蓬勃發(fa)(fa)展(zhan)。通(tong)過國(guo)內外各相關領域(yu)的(de)(de)(de)專家(jia)學者的(de)(de)(de)交(jiao)流，展(zhan)示了世界新型(xing)超寬禁帶半導(dao)體及(ji)其(qi)新型(xing)碳材料(liao)研(yan)究(jiu)領域(yu)的(de)(de)(de)最新進(jin)(jin)展(zhan)，新的(de)(de)(de)實(shi)驗方(fang)法(fa)和理(li)論(lun)，進(jin)(jin)一步凝煉關鍵科學問(wen)題，歸納基本(ben)規(gui)律，提供理(li)論(lun)依據和實(shi)驗方(fang)法(fa)，全面推動以先進(jin)(jin)碳材料(liao)為基礎的(de)(de)(de)跨(kua)學科、跨(kua)領域(yu)的(de)(de)(de)深入實(shi)質(zhi)性的(de)(de)(de)合作，促進(jin)(jin)我(wo)國(guo)單(dan)晶(jing)金剛(gang)(gang)石(shi)(shi)半導(dao)體材料(liao)及(ji)其(qi)電(dian)(dian)子器件(jian)(jian)(jian)研(yan)究(jiu)平臺(tai)(tai)的(de)(de)(de)建(jian)設(she)，并且通(tong)過共(gong)同努力，推動國(guo)際單(dan)晶(jing)金剛(gang)(gang)石(shi)(shi)及(ji)其(qi)電(dian)(dian)子器件(jian)(jian)(jian)研(yan)究(jiu)的(de)(de)(de)進(jin)(jin)步和發(fa)(fa)展(zhan)，拓展(zhan)該(gai)類先進(jin)(jin)電(dian)(dian)子材料(liao)與器件(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)應用(yong)與成果(guo)轉化。

　　專家一致認為單晶(jing)金(jin)(jin)(jin)剛(gang)(gang)(gang)石(shi)要步(bu)入半(ban)(ban)導體(ti)大門(men)，應重點突破高質量大面積(ji)單晶(jing)金(jin)(jin)(jin)剛(gang)(gang)(gang)石(shi)晶(jing)圓和電子器件(jian)級單晶(jing)金(jin)(jin)(jin)剛(gang)(gang)(gang)石(shi)薄(bo)膜的生長技術，這是(shi)單晶(jing)金(jin)(jin)(jin)剛(gang)(gang)(gang)石(shi)摻雜(za)(za)和走向應用的重要基礎。此外(wai)，單晶(jing)金(jin)(jin)(jin)剛(gang)(gang)(gang)石(shi)的缺陷(xian)特性、摻雜(za)(za)、載流子輸(shu)運調控及歐姆接觸和肖特基接觸也是(shi)單晶(jing)金(jin)(jin)(jin)剛(gang)(gang)(gang)石(shi)正(zheng)式邁入半(ban)(ban)導體(ti)應用領域的準入證。同(tong)時，應將強金(jin)(jin)(jin)剛(gang)(gang)(gang)石(shi)與(yu)其(qi)他半(ban)(ban)導體(ti)形成異質結和異構結構方(fang)面的研(yan)究，開(kai)辟金(jin)(jin)(jin)剛(gang)(gang)(gang)石(shi)基半(ban)(ban)導體(ti)在能(neng)帶工(gong)程和量子器件(jian)領域的新(xin)應用。