國內光電龍頭公司三安光電正加速布局第三代半導體產(chan)業，或預(yu)示這個細分領域進入(ru)爆發前夜(ye)。最(zui)近兩天，在昆山舉(ju)辦的“2017中(zhong)國集成電路產(chan)業促進大(da)會高(gao)峰(feng)論壇”上，5G與化(hua)合物半導體發展前景議題備(bei)受關注。

　　有業內人士分析認為，隨著5G時代到來，以碳化硅(SiC)、氮化鎵(jia)(GaN)為代表的第三代寬禁帶半導(dao)體材料將迎來(lai)發展機遇。三安(an)光電、國(guo)民技(ji)術、揚杰科技(ji)、海特高新等多家上市(shi)公司均已(yi)積極布局。英飛凌(Infineon)方面預計，未來(lai)GaN將占據75%的基站(zhan)射(she)頻功率器件(jian)市(shi)場。

　　第三代半導體脫穎而出

　　5G時代(dai)，一部手機(ji)(ji)可能就需要16顆PA(功率放(fang)大器)芯(xin)片，也需要更多的基站、大規模天線(Massive MIMO)、濾波(bo)器等，這給第三代(dai)半(ban)(ban)導體(ti)帶來發展機(ji)(ji)遇(yu)。在“2017中國集成電路產業促(cu)進大會高峰論(lun)壇”上，多位(wei)與(yu)會嘉賓聚焦5G與(yu)化合(he)物(wu)半(ban)(ban)導體(ti)發展前景(jing)。

　　“銳迪科(ke)(ke)在(zai)射頻前端市場厚積薄發，今年(nian)營收將(jiang)再次回到1億美元，預(yu)計2018年(nian)至(zhi)2019年(nian)將(jiang)繼續(xu)高速增(zeng)長(chang)。”銳迪科(ke)(ke)助理副總裁賈斌在(zai)論壇上介(jie)紹。銳迪科(ke)(ke)主要生產(chan)移動電話通訊(xun)支(zhi)持芯片，包括功(gong)率放大器、轉換器和接收器等。

　　第三(san)代半導體的節(jie)能效果尤其值得稱(cheng)道。據蘇州能訊(xun)技(ji)術副(fu)總裁(cai)裴軼(yi)介紹(shao)，如果采用(yong)GaN功放，就會較傳統的LDMOS效率提(ti)升10%。這(zhe)意味著每個(ge)基(ji)站(zhan)(zhan)可節(jie)電(dian)50瓦，全(quan)國(guo)基(ji)站(zhan)(zhan)每年(nian)可節(jie)電(dian)130億度。因(yin)此，GaN是毫米波微基(ji)站(zhan)(zhan)功率放大(da)器的最佳選擇。

　　QYResearch的市(shi)場(chang)研究(jiu)報告顯示，2016年全球(qiu)射(she)頻前端(duan)市(shi)場(chang)規模為125億美(mei)元，預計到2022年將達到259億美(mei)元，年復合增長率為12.9%。

　　多家A股公司已布局

　　“在第(di)三(san)代(dai)半導體方(fang)面(mian)，三(san)安光電將利用安芯基金，在RF射頻、光通信、濾波器(qi)、電力電子等方(fang)面(mian)進行布局，目標是(shi)建設面(mian)向下一代(dai)無線(xian)通信GaN器(qi)件平臺(tai)。”在本屆高峰論壇上(shang)，三(san)安光電RF市場總監陳(chen)文欣明確指出(chu)了(le)公司(si)具(ju)體布局方(fang)向。

　　作為(wei)光電(dian)(dian)龍頭，三(san)安光電(dian)(dian)早就(jiu)大(da)手(shou)筆(bi)布局第三(san)代半(ban)導體。2015年6月，三(san)安光電(dian)(dian)引入(ru)國家(jia)集成電(dian)(dian)路(lu)產業(ye)投資(zi)(zi)基(ji)(ji)(ji)金(簡稱“大(da)基(ji)(ji)(ji)金”)，意(yi)在推動以III—V 族化合(he)物半(ban)導體為(wei)重點的(de)集成電(dian)(dian)路(lu)業(ye)務進一(yi)步做(zuo)大(da)做(zuo)強。此(ci)后(hou)，公司聯合(he)福建省、大(da)基(ji)(ji)(ji)金等(deng)共同設立了規模500億的(de)福建省安芯產業(ye)投資(zi)(zi)基(ji)(ji)(ji)金合(he)伙(huo)企業(ye)(簡稱“安芯基(ji)(ji)(ji)金”，首期規模75.1億元)。

　　在(zai)今年(nian)半(ban)年(nian)報里，三安(an)光(guang)電披露，子公(gong)司(si)廈門市(shi)三安(an)集(ji)成電路有限公(gong)司(si)(承擔第(di)三代半(ban)導(dao)體業(ye)(ye)務)已向47家公(gong)司(si)提(ti)交樣品，其中11顆芯片(pian)進入(ru)微量產(chan)(chan)，此外(wai)還布局了光(guang)通訊芯片(pian)、濾波器等領域(yu)。據悉，三安(an)光(guang)電目前在(zai)第(di)三代半(ban)導(dao)體業(ye)(ye)務上首先(xian)聚焦移動(dong)終(zhong)端，產(chan)(chan)品已實現小規模量產(chan)(chan)，每月訂單近百片(pian)wafer(晶圓)，預計2018年(nian)至2019年(nian)將對公(gong)司(si)業(ye)(ye)績產(chan)(chan)生貢獻。

　　除三(san)(san)安光(guang)電(dian)外，揚杰科(ke)技、海特高(gao)新、國民技術(shu)等(deng)多(duo)家上市公司均(jun)已涉足第三(san)(san)代半導(dao)體(ti)業務。

　　揚杰(jie)科技(ji)在近期接受(shou)機(ji)構(gou)調(diao)研時表示，其碳化(hua)硅(gui)芯片(pian)(pian)技(ji)術已達到國(guo)內領先水平(ping)。早在2015年7月，揚杰(jie)科技(ji)即(ji)錨定第三代半(ban)導體，定增(zeng)募資不超過10億元(yuan)，用(yong)于SiC芯片(pian)(pian)、器件研發(fa)及產業(ye)化(hua)建設等(deng)項(xiang)目(mu)。公(gong)司在半(ban)年報中表示，持續推(tui)進第三代半(ban)導體項(xiang)目(mu)的(de)(de)研發(fa)及產業(ye)化(hua)，針(zhen)對650V/1200V碳化(hua)硅(gui)JBS產品，開發(fa)并改(gai)進可(ke)與硅(gui)線相(xiang)互兼(jian)容的(de)(de)生產工藝，以增(zeng)強產能結構(gou)實時調(diao)整(zheng)的(de)(de)能動(dong)性。

　　國民(min)技術(shu)則剛剛開始進入這(zhe)個領域。公司8月15日披露，其全資(zi)(zi)子公司深圳(zhen)前海(hai)國民(min)公司與(yu)成都邛崍市(shi)人民(min)政府簽訂《化(hua)合(he)物半導體(ti)生態產業(ye)園項目投資(zi)(zi)協議書》，由前者組織資(zi)(zi)金，以第(di)二、三代化(hua)合(he)物半導體(ti)外延片材料(liao)為核心基(ji)礎，在邛崍市(shi)打(da)造(zao)化(hua)合(he)物半導體(ti)產業(ye)鏈生態圈，項目總投資(zi)(zi)將不少于80億元，預(yu)計三年初具規模。

　　此(ci)外(wai)，海(hai)特(te)高(gao)新通過其(qi)子公司海(hai)威華(hua)芯建(jian)設6英寸(cun)的第二代(dai)/第三代(dai)半導(dao)體集成電(dian)路芯片(pian)生產線。中(zhong)車時代(dai)電(dian)氣(中(zhong)國中(zhong)車子公司)在高(gao)功率SiC器(qi)件方(fang)面處于國內領先。