日本京都大學的一個研究小組23日表示，他們以碳化硅為材料，開發出了能耐受2萬伏電壓的晶體管，這一技術具有(you)世界先進水平。

　　據日(ri)本媒(mei)體(ti)報道，在變電設備(bei)等器(qi)材中使用的晶體(ti)管主流材料是硅(gui)(gui)，不過硅(gui)(gui)所(suo)能承受(shou)的最大(da)電壓只有(you)6000伏(fu)至8000伏(fu)。京(jing)都大(da)學副教授(shou)須田淳領(ling)導的研(yan)究小組將(jiang)碳和硅(gui)(gui)按(an)比例合成碳化(hua)硅(gui)(gui)，它比硅(gui)(gui)更加耐熱。碳化(hua)硅(gui)(gui)晶體(ti)管的電力轉換效(xiao)率也非常高，能夠用于制造低損耗(hao)的變電設備(bei)。

　　晶體(ti)管是一種固體(ti)半導體(ti)器(qi)件，可(ke)用于檢波、整(zheng)流(liu)、放大、開(kai)關、穩壓、信(xin)號(hao)調制等。晶體(ti)管的工作由(you)電信(xin)號(hao)來控(kong)制，其(qi)開(kai)關速度非常(chang)快，所以晶體(ti)管構成了各種產品中(zhong)電力(li)轉(zhuan)換回路的主要部分。

　　研(yan)究負(fu)責人須田淳說，這是開發(fa)耐受高(gao)電(dian)壓(ya)電(dian)力轉(zhuan)換回路的重要步驟。相(xiang)關研(yan)究成果已發(fa)表在美國《電(dian)氣與(yu)電(dian)子工程師學(xue)會會刊》網絡(luo)版上。