在商品化的LED中，絕大部分采用藍寶石作為外延生長的襯底材料。由于藍寶石材料導熱性較差，為防止LED有源區過高的溫升對其光輸出特性和壽命產生影響，在完成電極制備等工藝后，必須對藍寶石襯底進行背減薄，以提高器件的散熱性能。另外，由于藍寶石的莫氏硬度達9.0，為滿足劃片、裂片等后繼工藝的要求，同樣需要將襯底厚度減薄至一定程度。減薄后的襯底背面存在表面損傷層，其殘余應力會導致減薄后的外延片彎曲變形且容易在后繼工序中碎裂，從而影響成品率。因此，在減薄后必須對襯底背面進行拋光，以(yi)去除(chu)(chu)上(shang)述(shu)表面(mian)損傷層，消除(chu)(chu)殘余應(ying)力(li)。一(yi)般情況(kuang)下，需要將外延片的厚度從400mm以(yi)上(shang)減薄(bo)(bo)至100mm附(fu)近(jin)或更薄(bo)(bo)。由于藍寶石硬(ying)度很高(gao)，上(shang)述(shu)背減薄(bo)(bo)和拋光工作通常要耗費(fei)較(jiao)長的時間，這樣，背減薄(bo)(bo)和拋光的加(jia)工效率和質量就成為一(yi)個(ge)關鍵(jian)的問題(ti)。

　　藍寶石襯底研磨的機理

　　材料研磨中的去除方式通常有三種，磨料顆粒的機械磨蝕作用、被研磨表面輕微地熔融和塑性流動、研磨劑中表面活性物質的化學作用。

　　藍寶石的熔點高達2045℃，而藍寶石襯底研磨中以機械磨蝕作用為主。在磨料的作用下，藍寶石襯底的表面會出現大量的微裂紋，并延伸至表面以下，形成表面損傷層。在研磨過程中，這些微裂紋不斷延伸，如果互相交叉，則其包圍區域的藍寶石材料會脫落，形成微小的凹坑和溝槽，從而達到研磨效果。由于藍寶石硬度很高，在拋光時的去除量很小，因此在拋光前，必須將外延片背面的損傷層厚度降到合適的程度，才能在拋光時將其去凈。微裂紋的形成和延伸，以及表面損傷層的厚度，均與研磨的工藝參數密切相關。因此也可以知道，藍寶石襯底表面損傷層的情況將直接影響到研磨時的表面狀況，進而會影響到表面粗糙度。因此，通過研究表面粗糙度隨工藝參數的變化，可以間接地分析表面損傷層的情況。

　　表面粗糙度與去除速率與轉速的關系

　　襯底表面粗糙度隨研磨盤轉速的變化趨勢，由此可看出，隨著轉速的增加，表面粗糙度下降。總體上，粗糙度值在485±80nm的范圍內變化，維持在相同的數量級上。實際操作中發現，由于顆粒度大，240目碳化硼在研磨劑中的分散性很差。這樣轉速較低時，磨料在盤面上分布不均勻，容易產生較深的劃痕，表面粗糙度較大。提高轉速后，磨料在盤上的均勻性提高，粗糙度隨之降低。襯底去除速率隨研磨盤轉速的變化趨勢，隨著轉速的增大，去除速率呈明顯的上升趨勢。研磨的去除速率與單位時間內襯底與盤上的磨料作相對切削運動的次數有關。轉速上升后，磨料顆粒運動加快，研磨去除速率也就相應地上升。去除速率的提高可縮短研磨時間，在允許的情況下，應適當地提高研磨盤轉速。

　　表面粗糙度與去除速率與研磨壓力的關系

　　襯底表面粗糙度(du)隨研磨(mo)壓(ya)(ya)(ya)力(li)(li)(li)(li)(li)(li)(li)的(de)(de)(de)(de)變(bian)化(hua)趨勢(shi)，可以(yi)看出，隨著壓(ya)(ya)(ya)力(li)(li)(li)(li)(li)(li)(li)的(de)(de)(de)(de)增(zeng)(zeng)加(jia)，表面粗糙度(du)近(jin)似呈線性下降趨勢(shi)。總(zong)體上(shang)，粗糙度(du)值在(zai)(zai)455±40nm的(de)(de)(de)(de)范圍內(nei)(nei)變(bian)化(hua)，維持在(zai)(zai)相同的(de)(de)(de)(de)數量級上(shang)。由于240目的(de)(de)(de)(de)碳化(hua)硼顆(ke)(ke)粒(li)(li)度(du)較(jiao)大(da)(da)(da)(da)(da)且有(you)一定(ding)的(de)(de)(de)(de)分布，在(zai)(zai)壓(ya)(ya)(ya)力(li)(li)(li)(li)(li)(li)(li)較(jiao)小(xiao)(xiao)(xiao)時，藍寶石襯底主要與較(jiao)大(da)(da)(da)(da)(da)的(de)(de)(de)(de)顆(ke)(ke)粒(li)(li)相接觸(chu)，這(zhe)(zhe)樣作(zuo)(zuo)用在(zai)(zai)這(zhe)(zhe)些顆(ke)(ke)粒(li)(li)上(shang)的(de)(de)(de)(de)壓(ya)(ya)(ya)力(li)(li)(li)(li)(li)(li)(li)大(da)(da)(da)(da)(da)，劃痕相應地較(jiao)深。而(er)且這(zhe)(zhe)些較(jiao)大(da)(da)(da)(da)(da)顆(ke)(ke)粒(li)(li)間有(you)一定(ding)的(de)(de)(de)(de)間距，造成粗糙度(du)較(jiao)高。當增(zeng)(zeng)大(da)(da)(da)(da)(da)壓(ya)(ya)(ya)力(li)(li)(li)(li)(li)(li)(li)后，磨(mo)料(liao)層受(shou)到(dao)擠壓(ya)(ya)(ya)，較(jiao)小(xiao)(xiao)(xiao)的(de)(de)(de)(de)顆(ke)(ke)粒(li)(li)也能(neng)(neng)與襯底面相接觸(chu)，盡管較(jiao)大(da)(da)(da)(da)(da)顆(ke)(ke)粒(li)(li)切(qie)(qie)入(ru)藍寶石襯底內(nei)(nei)的(de)(de)(de)(de)深度(du)增(zeng)(zeng)大(da)(da)(da)(da)(da)，但較(jiao)小(xiao)(xiao)(xiao)的(de)(de)(de)(de)顆(ke)(ke)粒(li)(li)可以(yi)對較(jiao)大(da)(da)(da)(da)(da)顆(ke)(ke)粒(li)(li)的(de)(de)(de)(de)劃痕起到(dao)整(zheng)平(ping)作(zuo)(zuo)用，而(er)且顆(ke)(ke)粒(li)(li)間距減小(xiao)(xiao)(xiao)，因此從整(zheng)體上(shang)來說，粗糙度(du)會降低。襯底去(qu)除(chu)速(su)率(lv)隨研磨(mo)壓(ya)(ya)(ya)力(li)(li)(li)(li)(li)(li)(li)的(de)(de)(de)(de)變(bian)化(hua)趨勢(shi)，隨著壓(ya)(ya)(ya)力(li)(li)(li)(li)(li)(li)(li)的(de)(de)(de)(de)增(zeng)(zeng)大(da)(da)(da)(da)(da)，去(qu)除(chu)速(su)率(lv)近(jin)似呈線性上(shang)升(sheng)趨勢(shi)。當增(zeng)(zeng)大(da)(da)(da)(da)(da)壓(ya)(ya)(ya)力(li)(li)(li)(li)(li)(li)(li)后，較(jiao)大(da)(da)(da)(da)(da)顆(ke)(ke)粒(li)(li)切(qie)(qie)入(ru)藍寶石襯底內(nei)(nei)的(de)(de)(de)(de)深度(du)增(zeng)(zeng)大(da)(da)(da)(da)(da)，切(qie)(qie)削能(neng)(neng)力(li)(li)(li)(li)(li)(li)(li)上(shang)升(sheng)，而(er)且顆(ke)(ke)粒(li)(li)間距減小(xiao)(xiao)(xiao)，實際參與研磨(mo)的(de)(de)(de)(de)顆(ke)(ke)粒(li)(li)數增(zeng)(zeng)多，因此去(qu)除(chu)速(su)率(lv)會增(zeng)(zeng)大(da)(da)(da)(da)(da)。如(ru)果壓(ya)(ya)(ya)力(li)(li)(li)(li)(li)(li)(li)過大(da)(da)(da)(da)(da)，磨(mo)料(liao)顆(ke)(ke)粒(li)(li)可能(neng)(neng)會被擠碎(sui)，研磨(mo)速(su)率(lv)反而(er)會下降。因此，應在(zai)(zai)適當的(de)(de)(de)(de)范圍內(nei)(nei)增(zeng)(zeng)大(da)(da)(da)(da)(da)研磨(mo)壓(ya)(ya)(ya)力(li)(li)(li)(li)(li)(li)(li)。

　　拋光時表面粗糙度隨拋光時間的變化

　　拋光時表面粗糙度隨拋光時間的變化，拋光開始時，減薄留下的表面損傷層中較大的起伏在拋光液和拋光墊的聯合作用下迅速去除，因而粗糙度迅速下降，隨著拋光的進行，外延片表面的起伏逐漸和軟質拋光墊相貼合，粗糙度下降的速度變緩，最后，表面粗糙度達到一個穩定值。實際操作中發現，該值取決于所選擇的壓力等工藝條件，為該拋光條件下所能獲得的最低表面粗糙度。根據上面的分析，應將拋光時間控制在剛好能使外延片背面達到最低粗糙度為止。