申請號:201610247000.0

申請日:2016.04.19

國(guo)家/省(sheng)市:中國(guo)江蘇(32)

公開號:107304331A

公開日:2017.10.31

主分類號:C09G 1/02(2006.01)

分類號:C09G 1/02(2006.01); B24B 1/00(2006.01)

申請人:江蘇天恒納米科技股份有限公司

發明人:仲躋和

申請人地址:江蘇(su)省南通市城東鎮東海大道(東)18號

摘要： 本發明公開了一種用于存儲器硬盤的CMP漿料及使用該漿料的拋光方法，包括CMP漿料組合物和研磨料，CMP漿(jiang)(jiang)料(liao)組合物包括含有羥基、羧基或其兩者的(de)化(hua)合物、輔助添加劑以及去(qu)離子水，研磨料(liao)為(wei)二(er)氧化(hua)硅溶(rong)(rong)膠，其中將二(er)氧化(hua)硅溶(rong)(rong)膠加入(ru)CMP漿(jiang)(jiang)料(liao)組合物中并(bing)加入(ru)去(qu)離子水稀釋，直至CMP漿(jiang)(jiang)料(liao)體(ti)系的(de)粘度小于10(mPa.s)，pH值(zhi)在9.0?10.0之間波動。本發明在CMP漿(jiang)(jiang)料(liao)體(ti)系中增加輔助添加劑，用(yong)(yong)以提高CMP漿(jiang)(jiang)料(liao)的(de)研磨拋(pao)光效(xiao)果(guo)，且研磨料(liao)采用(yong)(yong)堿性(xing)球形納米粒子，其硬(ying)度小，能(neng)夠解決傳統CMP漿(jiang)(jiang)料(liao)對硬(ying)盤(pan)基片的(de)劃傷問題(ti)，且穩定(ding)性(xing)高，對設備要(yao)求低，使得該CMP漿(jiang)(jiang)料(liao)的(de)拋(pao)光選(xuan)擇性(xing)高，可操作性(xing)強，可廣(guang)泛用(yong)(yong)于存(cun)儲器(qi)硬(ying)盤(pan)的(de)拋(pao)光領域。

主權利要求

1.一種用于存儲器硬盤的(de)CMP漿(jiang)(jiang)料(liao)，包(bao)括CMP漿(jiang)(jiang)料(liao)組(zu)合(he)(he)物(wu)和研磨(mo)料(liao)，其(qi)特征在于：所述(shu)CMP漿(jiang)(jiang)料(liao)組(zu)合(he)(he)物(wu)包(bao)括含有羥(qian)基(ji)、羧基(ji)或其(qi)兩者(zhe)的(de)化(hua)合(he)(he)物(wu)、輔助添加劑(ji)以(yi)及去(qu)離子(zi)(zi)水，所述(shu)研磨(mo)料(liao)為二(er)氧化(hua)硅溶膠，其(qi)中將二(er)氧化(hua)硅溶膠加入(ru)CMP漿(jiang)(jiang)料(liao)組(zu)合(he)(he)物(wu)中并加入(ru)去(qu)離子(zi)(zi)水稀釋，直至CMP漿(jiang)(jiang)料(liao)體系(xi)的(de)粘度小于10(mPa.s)，pH值在9.0-10.0之間波動。