目前世界發達國家CVD金剛石薄膜的生產方法很多，主要有：熱絲CVD法（HFCVD）、燃燒火焰沉積法（Flame deposition）、直流電弧等離子噴射CVD法（DAPCVD）、微波等離子體CVD法（WMPCVD）、激光輔助CVD 法（LACVD）等。
因CVD金剛石薄膜具有高純度、高硬度、高耐磨性、高熱導率、高光透過波段寬度、高化學穩定性、耐酸堿腐蝕等特性，利用其高硬度開發制造砂輪的修整工具、刀具等刃具，以及發動機缸套、噴砂嘴、噴水嘴、精密軸承支撐器、人造骨關節、錄音磁頭、磁盤保護層等耐磨器件，其在光、熱、電、聲等高新技術領域中功能性應用的前景將更加廣闊。
CVD的光學應用：金剛石具有從紫外到紅外的透光性和良好的透過率、高硬度和高導熱率、較強的抗輻射損傷和極好的耐熱沖擊性能，因此，CVD金剛石是最好的紅外保護材料。可用于超音速新型攔截導彈的頭罩；飛機（車、船）載紅外熱成像裝置或其他光學裝置的窗口或窗口保護層，大功率激光窗口的熱透鏡；用于照相機鏡頭既能起到增透作用，又提高鏡頭的耐磨性；用作太陽能電池增透膜，可提高太陽能電池效率60%以及紅外線夜視鏡等。
CVD用作熱沉元器件：金剛石的熱傳導率在室溫下為銅的5倍，是目前已知材料中最高的、高絕緣電阻和極低熱膨脹系數等特性，是大功率激光器件、微波器件、大功率集成電路、發光二極管(Light Emitting Diode,簡稱LED)等高功率密度電路元件的散熱材料，可以提高這些器件的功率壽命。目前我國已有能力制備各種金剛石熱沉片。
CVD用作電子器件：金剛石半導體材料具有寬禁帶、高熱導率、抗輻射性強、高臨界擊穿電場、低的介電常數以及很高的載流子遷移率；由于金剛石具有負電子親和勢，在低電場下具有比其他場發射材料更低的功函數與閾值電場，是一種非常理想的電子場發射材料，特別適合在平板顯示器、紫外光、X-射線、α粒子等輻射探測器等真空微電子器件中應用。
CVD用作傳感器：摻硼的金剛石薄膜具有顯著的縱向壓敏電阻效應，并具有高的彈性模量，是制造高溫、惡劣條件工作的壓力傳感器的最佳材料。隨后許多國家對此作了大量的研究，并且美、德、日等國的金剛石薄膜壓力傳感器已經試驗成功。金剛石薄膜除了具有壓阻效應外，還具有熱敏電阻效應，適應溫度范圍廣，響應時間短等特點，因此金剛石薄膜可制成溫度傳感器。目前已試驗成功的金剛石傳感器件有壓力傳感器、溫度傳感器，還有微加速度傳感器等。
CVD在聲學方面的應用：CVD金剛石薄膜的縱波聲速是自然界所有材料中最大的（20000m/s），并具有高的彈性模量，有利于聲學波的高保真傳輸，是極佳的高頻聲表面波（SAW）材料，是制作揚聲器高頻振膜最理想的材料。在鍍有金剛石薄膜的鈦復合振膜的頻響上限從純鈦振膜的20kHz 提高到30kHz，最高可達33kHz，使高音揚聲器電聲性能有顯著的提高，使高音更加清脆亮麗。
CVD所具有的優越性能和廣闊的應用前景，得到了我國的高度重視，被列入我國高技術研究發展的“863”計劃，眾多大學、研究單位從事CVD的研究工作，研發隊伍迅速擴大，專業研發和生產的企業越來越多。
“十一(yi)五(wu)”期間，我(wo)國(guo)低壓高(gao)(gao)(gao)溫化學氣(qi)(qi)相(xiang)沉積法(fa)合成(cheng)(cheng)金(jin)(jin)(jin)剛(gang)石(shi)膜（CVD）的(de)(de)(de)(de)專業研發和(he)生產企業迅(xun)速增(zeng)加，創新(xin)能力迅(xun)速提高(gao)(gao)(gao)，生產規模迅(xun)速擴大(da)，產品質(zhi)量有了質(zhi)的(de)(de)(de)(de)提升，應用(yong)(yong)研究(jiu)快(kuai)速跟進，發展迅(xun)速。目前我(wo)國(guo)金(jin)(jin)(jin)剛(gang)石(shi)膜（CVD）制(zhi)(zhi)(zhi)備(bei)采用(yong)(yong)最多的(de)(de)(de)(de)是熱(re)絲法(fa)（HFCVD）。該(gai)技(ji)術(shu)的(de)(de)(de)(de)特點是設(she)(she)備(bei)相(xiang)對(dui)簡(jian)單，操作方便，成(cheng)(cheng)本低，是工具(ju)應用(yong)(yong)金(jin)(jin)(jin)剛(gang)石(shi)膜制(zhi)(zhi)(zhi)備(bei)的(de)(de)(de)(de)主要方法(fa)，可(ke)以(yi)(yi)生長大(da)面積CVD膜（300×300mm2），用(yong)(yong)于(yu)工具(ju)的(de)(de)(de)(de)金(jin)(jin)(jin)剛(gang)石(shi)厚(hou)膜可(ke)以(yi)(yi)達到150毫(hao)米直(zhi)(zhi)徑、2毫(hao)米以(yi)(yi)上；另一(yi)種是直(zhi)(zhi)流(liu)等(deng)離(li)子(zi)體(ti)噴射化學氣(qi)(qi)相(xiang)沉積法(fa)（DAPCVD），該(gai)方法(fa)不(bu)但可(ke)以(yi)(yi)制(zhi)(zhi)(zhi)備(bei)用(yong)(yong)于(yu)砂輪修整工具(ju)坯料(liao)(liao)、刀具(ju)坯料(liao)(liao)、拉絲模芯坯料(liao)(liao)和(he)耐磨器(qi)件，而(er)且可(ke)制(zhi)(zhi)(zhi)備(bei)用(yong)(yong)于(yu)光學窗(chuang)口、散(san)熱(re)元件等(deng)的(de)(de)(de)(de)功能材料(liao)(liao)，還可(ke)以(yi)(yi)用(yong)(yong)來制(zhi)(zhi)(zhi)作高(gao)(gao)(gao)純度金(jin)(jin)(jin)剛(gang)石(shi)大(da)單晶，達到世界先進。同(tong)(tong)時(shi)我(wo)國(guo)在熱(re)絲法(fa)、直(zhi)(zhi)流(liu)等(deng)離(li)子(zi)法(fa)CVD制(zhi)(zhi)(zhi)備(bei)設(she)(she)備(bei)的(de)(de)(de)(de)制(zhi)(zhi)(zhi)造(zao)技(ji)術(shu)同(tong)(tong)步提高(gao)(gao)(gao)，我(wo)國(guo)研制(zhi)(zhi)(zhi)成(cheng)(cheng)功了“高(gao)(gao)(gao)功率直(zhi)(zhi)流(liu)等(deng)離(li)子(zi)體(ti)噴射CVD設(she)(she)備(bei)”，使我(wo)國(guo)成(cheng)(cheng)為(wei)繼(ji)美國(guo)之(zhi)后，能獨(du)立(li)設(she)(she)計、制(zhi)(zhi)(zhi)造(zao)同(tong)(tong)類設(she)(she)備(bei)的(de)(de)(de)(de)國(guo)家(jia)，達到世界先進水平。目前我(wo)國(guo)采用(yong)(yong)直(zhi)(zhi)流(liu)等(deng)離(li)子(zi)化學氣(qi)(qi)相(xiang)沉積的(de)(de)(de)(de)金(jin)(jin)(jin)剛(gang)石(shi)薄膜（CVD），直(zhi)(zhi)徑可(ke)達200毫(hao)米，厚(hou)度達3毫(hao)米，不(bu)但為(wei)我(wo)國(guo)金(jin)(jin)(jin)剛(gang)石(shi)膜工具(ju)及耐磨器(qi)件的(de)(de)(de)(de)制(zhi)(zhi)(zhi)造(zao)應用(yong)(yong)給力，同(tong)(tong)時(shi)也為(wei)金(jin)(jin)(jin)剛(gang)石(shi)在熱(re)、光、電(dian)、聲等(deng)高(gao)(gao)(gao)新(xin)技(ji)術(shu)領域的(de)(de)(de)(de)應用(yong)(yong)奠定(ding)了基礎，開辟了廣闊前景。